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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2016-0154858 (2016-11-21) | |
공개번호 | 10-2018-0056916 (2018-05-30) | |
등록번호 | 10-2093965-0000 (2020-03-20) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020160154858 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2018-08-09) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 고로딩 리튬-황 전지의 수명 특성을 개선하기 위해 전극 상에 반상호 침입 고분자 망상(semi interpenetrating polymer network, semi-IPN) 구조를 갖는 보호막이 형성된 리튬-황 전지에 관한 것이다.
양극; 음극; 및 이들 전극 사이에 위치하는 분리막 및 전해질을 포함하는 리튬-황 전지에 있어서, 상기 양극은 리튬 이온 전도성 고분자와 2개 이상의 에틸렌 불포화성 관능기를 갖는 다관능성 가교성 단량체에 의해 반상호 침입 고분자 망상(semi interpenetrating polymer network, semi-IPN) 구조를 형성한 보호막을 포함하고,상기 보호막은 상기 분리막과 접촉하는 양극 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 리튬-황 전지.
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