본 발명은 분자내에 양이온과 음이온을 포함하는 염(salt) 화합물을 포함하는 이산화탄소 흡수제로서, 상기 염 화합물의 음이온은 하기 화학식 A 내지 화학식 C 중 어느 하나로 표시되는 시아누르 음이온을 1종이상 포함하는 것을 특징으로 하는 이산화탄소 흡수제에 관한 것이다.[화학식 A][화학식 B][화학식 C]
대표청구항▼
분자내에 양이온과 음이온을 포함하는 염(salt) 화합물을 포함하는 이산화탄소 흡수제로서,상기 염 화합물의 음이온은 하기 화학식 A 내지 화학식 C 중 어느 하나로 표시되는 시아누르 음이온을 1종이상 포함하고, 상기 염 화합물의 음이온에 대응하는 양이온으로서, 하기 화학식 D로 표시되는 암모늄 양이온을 포함하는 것을 특징으로 하는 이산화탄소 흡수제.[화학식 A][화학식 B][화학식 C] [화학식 D]상기 화학식 D에서,상기 치환기 R1 내지 R4는 각각 동일하거나 상이하고, 서로 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 탄소수
분자내에 양이온과 음이온을 포함하는 염(salt) 화합물을 포함하는 이산화탄소 흡수제로서,상기 염 화합물의 음이온은 하기 화학식 A 내지 화학식 C 중 어느 하나로 표시되는 시아누르 음이온을 1종이상 포함하고, 상기 염 화합물의 음이온에 대응하는 양이온으로서, 하기 화학식 D로 표시되는 암모늄 양이온을 포함하는 것을 특징으로 하는 이산화탄소 흡수제.[화학식 A][화학식 B][화학식 C] [화학식 D]상기 화학식 D에서,상기 치환기 R1 내지 R4는 각각 동일하거나 상이하고, 서로 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 30의 시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬티옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴티옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴실릴기, 시아노기, 니트로기, 할로겐기 중에서 선택되는 어느 하나이고,여기서, 상기 화학식 D에서의 상기'치환 또는 비치환된'에서의 '치환'은 중수소, 시아노기, 할로겐기, 히드록시기, 니트로기, 탄소수 1 내지 24의 알킬기, 탄소수 1 내지 24의 할로겐화된 알킬기, 탄소수 2 내지 24의 알케닐기, 탄소수 2 내지 24의 알키닐기, 탄소수 1 내지 24의 헤테로알킬기, 탄소수 6 내지 24의 아릴기, 탄소수 7 내지 24의 아릴알킬기, 탄소수 2 내지 24의 헤테로아릴기 또는 탄소수 2 내지 24의 헤테로아릴알킬기, 탄소수 1 내지 24의 알콕시기, 탄소수 1 내지 24의 알킬아미노기, 탄소수 6 내지 24의 아릴아미노기, 탄소수 1 내지 24의 헤테로 아릴아미노기, 탄소수 1 내지 24의 알킬실릴기, 탄소수 6 내지 24의 아릴실릴기, 탄소수 6 내지 24의 아릴옥시기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환되는 것을 의미한다.
연구과제 타임라인
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이 특허에 인용된 특허 (1)
[일본]
TREATING AGENT FOR DECOMPOSING UNSTABLE TERMINAL GROUP, STABILIZED POLYACETAL RESIN USING THE SAME, PRODUCTION METHOD, COMPOSITION, AND MOLDED ARTICLE |
HARASHINA HATSUHIKO,
NAKAO HIROAKI
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