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SiC 종결정의 가공 변질층의 제거 방법, SiC 종결정, 및 SiC 기판의 제조 방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • C30B-033/12
  • C30B-019/04
  • C30B-019/12
  • C30B-029/36
  • C30B-033/02
출원번호 10-2016-7022410 (2016-08-17)
공개번호 10-2016-0111437 (2016-09-26)
등록번호 10-1893278-0000 (2018-08-23)
우선권정보 일본(JP) JP-P-2014-074742 (2014-03-31)
국제출원번호 PCT/JP2015/001302 (2015-03-10)
국제공개번호 WO 2015/151412 (2015-10-08)
번역문제출일자 2016-08-17
DOI http://doi.org/10.8080/1020167022410
발명자 / 주소
  • 야부키 노리히토 / 일본국 가가와켄 가논지시 오노하라쵸 나카히메 ****-* 토요 탄소 가부시키가이샤 내
  • 도리미 사토시 / 일본국 가가와켄 가논지시 오노하라쵸 나카히메 ****-* 토요 탄소 가부시키가이샤 내
  • 노가미 사토루 / 일본국 가가와켄 가논지시 오노하라쵸 나카히메 ****-* 토요 탄소 가부시키가이샤 내
출원인 / 주소
  • 토요 탄소 가부시키가이샤 / 일본국 오사카후 오사카시 니시요도가와쿠 다케시마 *쵸메 *반 **고
대리인 / 주소
  • 특허법인태평양
심사청구여부 있음 (2016-08-17)
심사진행상태 등록결정(재심사후)
법적상태 소멸

초록

절단 가공된 SiC 종결정을 이용하여 MSE법을 행하는 경우라도 성장 속도가 저하되지 않는 방법을 제공한다. 준안정 용매 에피택시법(MSE법)의 종결정으로서 이용되는 SiC 종결정을, Si 분위기하에서 가열하여 표면을 에칭함으로써, 절단 가공에 의해 생긴 가공 변질층을 제거한다. SiC 종결정에 생긴 가공 변질층은 MSE법에서의 성장을 저해하는 것이 알려져 있기 때문에, 이 가공 변질층을 제거함으로써 성장 속도의 저하를 방지할 수 있다.

대표청구항

준안정 용매 에피택시법(epitaxy法)의 종결정(種結晶)으로서 이용되는 SiC 단결정에 대해서, 절단 가공에 의해 생긴 가공 변질층을 제거하기 위한 방법으로서,두께 방향으로 평행한 면으로부터 a축방향으로 SiC 단결정을 성장시키기 위한 판상의 SiC 종결정을, Si 분위기하(下)에서 가열함으로써 상기 SiC 종결정의 두께 방향으로 평행한 면을 25㎛ 이상의 에칭량으로 에칭하며, 불활성 가스압에 의해서 상기 에칭량을 제어하는 에칭 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 SiC 종결정의 가공 변질층의 제거 방법.

발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (1)

  1. [일본] METHOD OF REFORMING SURFACE OF SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE, METHOD OF FORMING SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE THIN FILM, ION IMPLANTATION AND ANNEALING METHOD, AND SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE AND SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE | KANEKO TADAAKI
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