초록 ▼

본 발명은, 인산염 처리 공정 전에 금속 표면, 특히 코팅된 강판, 바람직하게는 아연 도금된 강판을 활성화하기 위한 방법에 관한 것이며, 이 방법에서는 특히 코팅된, 바람직하게는 전해적으로(electrolytically) 아연 도금된 금속판(2')이 활성화 배스(6)(activation bath)와 접촉되고, 이 활성화 배스는 물속에 분산된 활성화 입자, 바람직하게는 인산염 및/또는 티타늄을 기본으로 하는 활성화 입자를 함유한다.바람직하게 전해적으로 아연 도금되고 인산염 처리된 금속 스트립에 불량한 표면 코팅 접착성의 문제점을 줄이

본 발명은, 인산염 처리 공정 전에 금속 표면, 특히 코팅된 강판, 바람직하게는 아연 도금된 강판을 활성화하기 위한 방법에 관한 것이며, 이 방법에서는 특히 코팅된, 바람직하게는 전해적으로(electrolytically) 아연 도금된 금속판(2')이 활성화 배스(6)(activation bath)와 접촉되고, 이 활성화 배스는 물속에 분산된 활성화 입자, 바람직하게는 인산염 및/또는 티타늄을 기본으로 하는 활성화 입자를 함유한다.바람직하게 전해적으로 아연 도금되고 인산염 처리된 금속 스트립에 불량한 표면 코팅 접착성의 문제점을 줄이거나 심지어 제거하기 위하여, 본 발명은, 활성화 입자의 응집을 억제하거나 적어도 응집 속도를 늦추는 하나 이상의 첨가제(A)가 활성화 배스(6)에 제공되는 것을 제안한다.이 경우, 첨가제(A)로서는 바람직하게 폴리에틸렌글리콜(PEG) 및/또는 나트륨 스테아레이트가 첨가된다.본 발명에 따른 방법의 특히 바람직한 일 실시예에서는, 활성화 배스(6) 내에 존재하는 활성화 입자의 입자 크기 분포가 결정되며, 활성화 배스(6)가 활성화 입자의 입자 크기 분포에 따라 작동 재개되거나 작동하지 않는다.

대표청구항

특히 코팅된, 바람직하게는 전해적으로 아연 도금된 금속판(2')이 활성화 배스(6)와 접촉되고, 활성화 배스는 물속에 분산된 활성화 입자, 바람직하게는 인산염 및/또는 티타늄을 기본으로 하는 활성화 입자를 함유하는, 인산염 처리 공정 전에 금속 표면, 특히 코팅된 강판, 바람직하게는 아연 도금된 강판을 활성화하기 위한 방법에 있어서,활성화 입자의 응집을 억제하거나 적어도 응집 속도를 늦추는 하나 이상의 첨가제(A)가 활성화 배스(6)에 제공되는 것을 특징으로 하는, 활성화 방법.

특히 코팅된, 바람직하게는 전해적으로 아연 도금된 금속판(2')이 활성화 배스(6)와 접촉되고, 활성화 배스는 물속에 분산된 활성화 입자, 바람직하게는 인산염 및/또는 티타늄을 기본으로 하는 활성화 입자를 함유하는, 인산염 처리 공정 전에 금속 표면, 특히 코팅된 강판, 바람직하게는 아연 도금된 강판을 활성화하기 위한 방법에 있어서,활성화 입자의 응집을 억제하거나 적어도 응집 속도를 늦추는 하나 이상의 첨가제(A)가 활성화 배스(6)에 제공되는 것을 특징으로 하는, 활성화 방법.