최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
---|---|---|
국제특허분류(IPC8판) |
|
|
출원번호 | 10-2016-7032758 (2016-11-23) | |
공개번호 | 10-2016-0147902 (2016-12-23) | |
등록번호 | 10-2323746-0000 (2021-11-03) | |
우선권정보 | 미국(US) 61/984,286 (2014-04-25);미국(US) 14/691,164 (2015-04-20) | |
국제출원번호 | PCT/US2015/026935 (2015-04-21) | |
국제공개번호 | WO 2015/164417 (2015-10-29) | |
번역문제출일자 | 2016-11-23 | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020167032758 | |
발명자 / 주소 |
|
|
출원인 / 주소 |
|
|
대리인 / 주소 |
|
|
심사청구여부 | 있음 (2020-04-20) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
결합된 XPS 및 XRF 기술을 사용하여 실리콘 게르마늄 두께 및 조성 결정을 위한 시스템 및 접근법이 기술된다. 예시에서, 실리콘 게르마늄 필름을 특징짓기 위한 방법은, X-선 빔을 생성하는 단계를 포함한다. 샘플은 상기 X-선 빔의 경로에 위치된다. 상기 X-선 빔으로 상기 샘플에 충격을 가함에 의해 생성된 X-선 광전자 분광법(XPS) 신호가 수집된다. 상기 X-선 빔으로 상기 샘플에 충격을 가함에 의해 생성된 X-선 형광(XRF) 신호도 수집된다. 실리콘 게르마늄 필름의 두께 또는 조성 또는 둘 다는 XRF 신호 또는 XPS
실리콘 함유 기판 상에 위치하는 실리콘 게르마늄 필름을 특징짓기 위한 방법에 있어서, 상기 방법은,X-선 빔을 생성하는 단계와,상기 X-선 빔의 경로에 샘플을 위치시키는 단계와,상기 X-선 빔으로 상기 샘플에 충격을 가함에 의해 생성된 X-선 광전자 분광(XPS) 신호를 수집하는 단계와,상기 X-선 빔으로 상기 샘플에 충격을 가함에 의해 생성된 X-선 형광(XRF) 신호를 수집하는 단계와,상기 XRF 신호와 상기 XPS 신호 모두로부터 실리콘 게르마늄 필름의 두께 및 조성(composition)을 결정하는 단계를 포함하고,실리콘 게
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.