초록

로이유리 열처리 방법 및 시스템이 개시된다. 로이유리 열처리 방법은 일면에 금속막이 형성된 유리 플레이트를 이송 장치의 일측에 로딩하는 단계, 이송 장치의 일측에서 타측으로 향하는 이송 방향의 제1 영역에서 제1 온도의 마이크로파를 사용하여 금속막의 표면을 일정 깊이 이하로 선택적으로 1차 열처리하는 단계, 및 마이크로파를 사용하여 열처리하는 단계 이전 또는 이후에, 이송 방향에서 제1 영역의 전단 또는 후단에 위치하는 제2 영역에서 제2 온도의 레이저빔으로 금속막을 선택적으로 열처리하는 단계를 포함한다.

대표청구항 ▼

일면에 금속막이 형성된 유리 플레이트를 이송 장치의 일측에 로딩하는 단계;상기 이송 장치의 일측에서 타측으로 향하는 이송 방향의 제1 영역에서 제1 온도의 마이크로파를 사용하여 상기 금속막을 선택적으로 열처리하는 단계; 및상기 마이크로파를 사용하여 열처리하는 단계 이전 또는 이후에, 상기 이송 방향에서 상기 제1 영역의 전단 또는 후단에 위치하는 제2 영역에서 제2 온도의 레이저빔으로 상기 금속막을 선택적으로 열처리하는 단계를 포함하며,상기 마이크로파를 사용하여 열처리하는 단계는 상기 금속막 표면에서 깊이 1㎛까지를 상기 마이크로파

일면에 금속막이 형성된 유리 플레이트를 이송 장치의 일측에 로딩하는 단계;상기 이송 장치의 일측에서 타측으로 향하는 이송 방향의 제1 영역에서 제1 온도의 마이크로파를 사용하여 상기 금속막을 선택적으로 열처리하는 단계; 및상기 마이크로파를 사용하여 열처리하는 단계 이전 또는 이후에, 상기 이송 방향에서 상기 제1 영역의 전단 또는 후단에 위치하는 제2 영역에서 제2 온도의 레이저빔으로 상기 금속막을 선택적으로 열처리하는 단계를 포함하며,상기 마이크로파를 사용하여 열처리하는 단계는 상기 금속막 표면에서 깊이 1㎛까지를 상기 마이크로파로 200℃ 내지 500℃의 온도 분위기에서 선택적으로 열처리하고, 여기서 상기 마이크로파의 주파수는 수 ㎓이고, 상기 유리 플레이트가 이송되는 제1 방향과 직교하는 상기 마이크로파의 폭은 상기 제1 방향에서의 웨이브폭(wave width)에 대응하는 10㎝ 내지 15㎝이며,상기 마이크로파의 열처리는 상기 금속막의 표면 전류가 급감하기 시작하는 임계치에 대응하는 일정 깊이 이하에서 금속막의 표면을 선택적으로 가열하도록 제어되며, 여기서 상기 금속막은 결정화되는 과정에서 일정 세기 이상의 마이크로파의 출력밀도 또는 에너지에 의해 표면으로부터 소정 깊이까지 일정한 표면 전류를 가지며, 상기 유리 플레이트의 내부열응력은 유리의 파열계수 이하로 제어되며,상기 마이크로파를 사용하여 열처리하는 하는 단계 이전 및 상기 레이저빔으로 열처리하는 단계 이전에, 상기 이송 방향의 상기 제1 영역의 앞쪽에서 상기 제1 온도보다 낮은 예열 온도로 상기 유리 플레이트 또는 상기 금속막을 예열처리하는 단계를 더 포함하며,상기 레이저빔으로 열처리하는 단계는, 상기 이송 방향과 직교하거나 교차하는 방향으로 연장하고 빔폭 1㎜ 이하인 라인빔으로 상기 금속막을 가열하며, 여기서 상기 유리 플레이트의 이송 속도는 50㎜/s 내지 150㎜/s이며, 상기 라인빔에 의해 열처리되는 상기 금속막은 그 표면에서 깊이 1㎛까지를 선택적으로 가열되는, 로이유리 열처리 방법.