초록 ▼

본 발명은 고열전도 질화규소 소결체의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 Si의 완전 질화를 기준으로 xSi3N4-yA2O3-zB2O3(여기서, x, y, z는 mol%이고, x, y, z > 0, A 및 B는 Y, Sc, Nd 및 Yb로 이루어진 그룹 중에서 선택된 희토류 금속)의 조성식을 따르도록 Si, A2O3, 및 B2O3 원료 분말을 배합하는 단계(S10)와, 상기 배합된 원료 분말을 혼합하는 단계(S20)와, 상기 혼합된 원료 분말을 성형하는 단계(S30)와, 상기 성형된 성형체를 질화하는 단계(S40), 및

본 발명은 고열전도 질화규소 소결체의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 Si의 완전 질화를 기준으로 xSi3N4-yA2O3-zB2O3(여기서, x, y, z는 mol%이고, x, y, z > 0, A 및 B는 Y, Sc, Nd 및 Yb로 이루어진 그룹 중에서 선택된 희토류 금속)의 조성식을 따르도록 Si, A2O3, 및 B2O3 원료 분말을 배합하는 단계(S10)와, 상기 배합된 원료 분말을 혼합하는 단계(S20)와, 상기 혼합된 원료 분말을 성형하는 단계(S30)와, 상기 성형된 성형체를 질화하는 단계(S40), 및 상기 질화된 성형체를 소결하는 단계(S50)를 포함하는 질화규소 소결체의 제조방법을 제공함으로써, 소결체 내의 산소량을 저감시켜 고열전도도 발현에 유리하도록 하며, 소결 조건을 제어함으로써 열적, 기계적 특성이 우수한 질화규소 소결체를 제공한다.

대표청구항

Si의 완전 질화를 기준으로 xSi3N4-ySc2O3-zY2O3(여기서, x, y, z는 mol%이고, x, y, z > 0, 2<y+z<7인 것이고, y>z임)의 조성식을 따르도록 Si, Sc2O3, 및 Y2O3 원료 분말을 배합하는 단계(S10);상기 배합된 원료 분말을 혼합하는 단계(S20);상기 혼합된 원료 분말을 성형하는 단계(S30);상기 성형된 성형체를 질화하는 단계(S40); 및 상기 질화된 성형체를 소결하는 단계(S50);를 포함하는 질화규소 소결체의 제조방법.

Si의 완전 질화를 기준으로 xSi3N4-ySc2O3-zY2O3(여기서, x, y, z는 mol%이고, x, y, z > 0, 2<y+z<7인 것이고, y>z임)의 조성식을 따르도록 Si, Sc2O3, 및 Y2O3 원료 분말을 배합하는 단계(S10);상기 배합된 원료 분말을 혼합하는 단계(S20);상기 혼합된 원료 분말을 성형하는 단계(S30);상기 성형된 성형체를 질화하는 단계(S40); 및 상기 질화된 성형체를 소결하는 단계(S50);를 포함하는 질화규소 소결체의 제조방법.