초록 ▼

본 발명에 따른 고주파 소자는 반도체 기판(100), 상기 반도체 기판 상부에 제공되고, 서로 이격되는 제1 트렌치 및 제2 트렌치, 상기 제1 트렌치 및 상기 제2 트렌치 사이의 제3 트렌치 및 제4 트렌치, 상기 제1 트렌치를 채우는 소스 오믹금속전극(210), 상기 제2 트렌치를 채우는 드레인 오믹금속전극(220), 및 상기 제3 트렌치 및 상기 제4 트렌치를 채우는 비대칭 게이트 전극(400)을 포함한다. 상기 제3 트렌치는 기판의 상면에 평행한 제1 방향으로의 제1 폭을 가지고, 상기 제4 트렌치는 상기 제1 방향으로의 제

본 발명에 따른 고주파 소자는 반도체 기판(100), 상기 반도체 기판 상부에 제공되고, 서로 이격되는 제1 트렌치 및 제2 트렌치, 상기 제1 트렌치 및 상기 제2 트렌치 사이의 제3 트렌치 및 제4 트렌치, 상기 제1 트렌치를 채우는 소스 오믹금속전극(210), 상기 제2 트렌치를 채우는 드레인 오믹금속전극(220), 및 상기 제3 트렌치 및 상기 제4 트렌치를 채우는 비대칭 게이트 전극(400)을 포함한다. 상기 제3 트렌치는 기판의 상면에 평행한 제1 방향으로의 제1 폭을 가지고, 상기 제4 트렌치는 상기 제1 방향으로의 제2 폭을 가지고,상기 제2 폭은 상기 제1 폭보다 작다.

대표청구항 ▼

실리콘 기판(110) 상에 차례로 AlGaN/AlN 전이층(120), 도핑되지 않은 AlGaN 버퍼층(130), GaN 채널층(140), 도핑되지 않은 AlN 층(150), 도핑되지 않은 AlxGa1-xN(x=20~28%) 쇼트키층(160), 및 도핑되지 않은 GaN 캡핑층(170)을 증착하여 반도체 기판(100)을 형성하는 것;상기 반도체 기판(100)의 상부에 복수개의 제1 트렌치들 및 복수개의 제2 트렌치들을 형성하는 것;상기 제1 트렌치들을 채우는 소스 오믹금속전극(210) 및 상기 제2 트렌치들을 채우는 드레인 오믹금속전극

실리콘 기판(110) 상에 차례로 AlGaN/AlN 전이층(120), 도핑되지 않은 AlGaN 버퍼층(130), GaN 채널층(140), 도핑되지 않은 AlN 층(150), 도핑되지 않은 AlxGa1-xN(x=20~28%) 쇼트키층(160), 및 도핑되지 않은 GaN 캡핑층(170)을 증착하여 반도체 기판(100)을 형성하는 것;상기 반도체 기판(100)의 상부에 복수개의 제1 트렌치들 및 복수개의 제2 트렌치들을 형성하는 것;상기 제1 트렌치들을 채우는 소스 오믹금속전극(210) 및 상기 제2 트렌치들을 채우는 드레인 오믹금속전극(220)을 형성하는 것;상기 반도체 기판(100)의 상부에 상기 제1 트렌치들 및 상기 제2 트렌치들 사이에 개재되는 제3 트렌치 및 제4 트렌치를 형성하는 것; 및상기 제3 트렌치 및 상기 제4 트렌치를 채우는 비대칭 게이트 전극(400)을 형성하는 것을 포함하고,상기 제3 트렌치는 기판의 상면에 평행한 제1 방향으로의 제1 폭을 가지고,상기 제4 트렌치는 상기 제1 방향으로의 제2 폭을 가지고,상기 제2 폭은 상기 제1 폭보다 작고,상기 제1 트렌치들, 제2 트렌치들, 제3트렌치 및 제4 트렌치는 도핑되지 않은 AlxGa1-xN(x=20~28%) 쇼트키층(160), 및 도핑되지 않은 GaN 캡핑층(170) 내에 형성되고,상기 제1 트렌치들, 제2 트렌치들, 제3트렌치 및 제4 트렌치의 각각의 바닥면들은 상기 도핑되지 않은 AlN 층(150)의 상면보다 위(above)에 제공되는 고주파 소자의 제조 방법.