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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2017-0068344 (2017-06-01) | |
등록번호 | 10-1877500-0000 (2018-07-05) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020170068344 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2017-06-01) | |
심사진행상태 | 등록결정(재심사후) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 기판 상에 결정성이 우수한 고품질의 그래핀층을 저온에서 대면적으로 용이하게 형성할 수 있는 대면적 그래핀 박막의 in-situ 제조방법 및 상기 방법을 이용한 소자의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 (A) 기판 상에 스퍼터링에 의해 티타늄 촉매 층을 형성하는 단계; 및 (B) 티타늄 촉매 층이 형성된 기판 상에 상기 스퍼터링 장비와 같은 장비에서 in-situ로 플라즈마 보조 화학기상증착에 의해 그래핀 박막을 성장시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 박막의 in-situ 제조방법에 관한 것이다.
(A) 합성수지 재질의 소자용 또는 투명전극용 기판 상에 스퍼터링에 의해 10~20nm 두께의 티타늄 촉매 층을 형성하는 단계; 및(B) 티타늄 촉매 층이 형성된 상기 기판 상에 상기 스퍼터링 장비와 같은 장비에서 in-situ로 플라즈마 보조 화학기상증착법으로, 상기 소자용 또는 투명전극용 기판이 변형되지 않는 온도에서 그래핀 박막을 성장시키는 단계;를 포함하는 무전사식 그래핀 박막의 in-situ 제조방법.
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