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대면적 그래핀 박막의 in-situ 제조방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • C01B-032/182
  • C23C-016/02
  • C23C-016/26
  • C23C-016/50
출원번호 10-2017-0068344 (2017-06-01)
등록번호 10-1877500-0000 (2018-07-05)
DOI http://doi.org/10.8080/1020170068344
발명자 / 주소
  • 윤순길 / 대전광역시 유성구 덕명로 **, ***동 ****호 (덕명동, 운암네오미아아파트)
  • 박병주 / 대전광역시 서구 둔산로 ***, ***동 ****호 (둔산동, 국화아파트)
출원인 / 주소
  • 충남대학교산학협력단 / 대전광역시 유성구 대학로 ** (궁동, 충남대학교)
대리인 / 주소
  • 김원준
심사청구여부 있음 (2017-06-01)
심사진행상태 등록결정(재심사후)
법적상태 등록

초록

본 발명은 기판 상에 결정성이 우수한 고품질의 그래핀층을 저온에서 대면적으로 용이하게 형성할 수 있는 대면적 그래핀 박막의 in-situ 제조방법 및 상기 방법을 이용한 소자의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 (A) 기판 상에 스퍼터링에 의해 티타늄 촉매 층을 형성하는 단계; 및 (B) 티타늄 촉매 층이 형성된 기판 상에 상기 스퍼터링 장비와 같은 장비에서 in-situ로 플라즈마 보조 화학기상증착에 의해 그래핀 박막을 성장시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 박막의 in-situ 제조방법에 관한 것이다.

대표청구항

(A) 합성수지 재질의 소자용 또는 투명전극용 기판 상에 스퍼터링에 의해 10~20nm 두께의 티타늄 촉매 층을 형성하는 단계; 및(B) 티타늄 촉매 층이 형성된 상기 기판 상에 상기 스퍼터링 장비와 같은 장비에서 in-situ로 플라즈마 보조 화학기상증착법으로, 상기 소자용 또는 투명전극용 기판이 변형되지 않는 온도에서 그래핀 박막을 성장시키는 단계;를 포함하는 무전사식 그래핀 박막의 in-situ 제조방법.

발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (2)

  1. [한국] 그래핀의 적층 방법, 그래핀 적층체, 및 이를 포함하는 소자 | 정종완, 안효섭
  2. [한국] 산화 반응성 금속을 이용한 에칭 프리 그래핀 성장 방법 | 최재우

이 특허를 인용한 특허 (2)

  1. [한국] 플랙서블 그래핀 박막, 이의 제조방법 및 이를 이용한 전자 소자 | 윤순길, 한이레
  2. [한국] 그래핀 증착장치 | 윤동호, 송철규, 강지호
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