초록

본 발명은 리튬 원료 물질과 니켈-망간-코발트 전구체를 포함하는 반응 혼합물을 제1도가니에 투입하고, 500℃ 내지 800℃의 온도로 1차 열처리하여 가소성 혼합물을 형성하는 단계; 및 상기 가소성 혼합물을 제2도가니에 투입하고, 700℃ 내지 1000℃의 온도로 2차 열처리하여 리튬 니켈망간코발트계 양극 활물질을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 1차 열처리 후 형성된 가소성 혼합물의 부피가 상기 제1도가니에 투입된 반응 혼합물의 부피의 20% 내지 50%인 양극 활물질의 제조 방법을 제공한다.

대표청구항 ▼

리튬 원료 물질과 니켈-망간-코발트 전구체를 포함하는 반응 혼합물을 제1도가니에 투입하고, 500℃ 내지 800℃의 온도로 1차 열처리하여 가소성 혼합물을 형성하는 단계; 및상기 가소성 혼합물을 상기 제1도가니로부터 배출한 다음, 제2도가니에 투입하고, 700℃ 내지 1000℃의 온도로 2차 열처리하여 리튬 니켈망간코발트계 양극 활물질을 형성하는 단계를 포함하며,상기 1차 열처리 후 형성된 가소성 혼합물의 부피가 상기 제1도가니에 투입된 반응 혼합물의 부피의 20% 내지 50%이고,상기 제2도가니에 투입되는 가소성 혼합물의 함량은

리튬 원료 물질과 니켈-망간-코발트 전구체를 포함하는 반응 혼합물을 제1도가니에 투입하고, 500℃ 내지 800℃의 온도로 1차 열처리하여 가소성 혼합물을 형성하는 단계; 및상기 가소성 혼합물을 상기 제1도가니로부터 배출한 다음, 제2도가니에 투입하고, 700℃ 내지 1000℃의 온도로 2차 열처리하여 리튬 니켈망간코발트계 양극 활물질을 형성하는 단계를 포함하며,상기 1차 열처리 후 형성된 가소성 혼합물의 부피가 상기 제1도가니에 투입된 반응 혼합물의 부피의 20% 내지 50%이고,상기 제2도가니에 투입되는 가소성 혼합물의 함량은 상기 제1도가니로부터 형성된 가소성 혼합물의 함량의 2배 내지 10배이며,상기 리튬 니켈망간코발트계 양극 활물질은 하기 화학식 1로 표시되는 것인 양극 활물질의 제조 방법.[화학식 1]Li1+x[NiaMnbCocM11-a-b-c]1-xO2상기 화학식 1에서, -0.2 ≤ x ≤ 0.2, 0.6<a≤0.98, 0.01≤b≤0.39, 0.01≤c≤0.39이고,상기 M1은 W, Cu, Fe, V, Cr, Ti, Zr, Zn, Al, In, Ta, Y, La, Sr, Ga, Sc, Gd, Sm, Ca, Ce, Nb, Mg, B, 및 Mo로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상임.