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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2017-0095851 (2017-07-28) | |
등록번호 | 10-1942657-0000 (2019-01-21) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020170095851 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2017-07-28) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 알루미늄 기판의 표면에 산화알루미늄층을 형성시키고, 소수성을 갖는 산화알루미늄층을 친수성으로 바꿔줌으로써 산화알루미늄층 상에 무전해니켈도금방식으로 니켈 도전층을 형성할 수 있도록 한 방열기판 제조방법에 관한 것으로서, 알루미늄 기판을 아세톤(C8H2O)에 침지시켜 알루미늄 기판의 표면에 유분이나 이물질을 제거하는 탈지 단계; 염산(HCl), 황산(H2SO4) 및 순수(H20)가 혼합된 혼합액에 침지시켜 전류를 가하는 전해에칭 단계; 순수(H20)에 침지시켜 알루미늄 기판의 표면에 산화알루미늄(Al2O3)을 형성시키는 수화
알루미늄 기판을 아세톤(C8H2O)에 침지시켜 알루미늄 기판의 표면에 유분이나 이물질을 제거하는 탈지 단계;염산(HCl), 황산(H2SO4) 및 순수(H20)가 혼합된 혼합액에 침지시켜 전류를 가하는 전해에칭 단계;순수(H20)에 침지시켜 알루미늄 기판의 표면에 산화알루미늄(Al2O3)을 형성시키는 수화처리 단계;질산(HNO3)과 순수(H20)가 혼합된 혼합액에 침지시켜 알루미늄 기판의 표면에 형성된 스머트를 제거하는 디스머트 단계;황산(H2SO4)와 순수(H20)가 혼합된 혼합액에 침지시켜 전류를 가하는 양극산화 단계;착산코발트(
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