초록 ▼

본 발명은 알루미늄 기판의 표면에 산화알루미늄층을 형성시키고, 소수성을 갖는 산화알루미늄층을 친수성으로 바꿔줌으로써 산화알루미늄층 상에 무전해니켈도금방식으로 니켈 도전층을 형성할 수 있도록 한 방열기판 제조방법에 관한 것으로서, 알루미늄 기판을 아세톤(C8H2O)에 침지시켜 알루미늄 기판의 표면에 유분이나 이물질을 제거하는 탈지 단계; 염산(HCl), 황산(H2SO4) 및 순수(H20)가 혼합된 혼합액에 침지시켜 전류를 가하는 전해에칭 단계; 순수(H20)에 침지시켜 알루미늄 기판의 표면에 산화알루미늄(Al2O3)을 형성시키는 수화

본 발명은 알루미늄 기판의 표면에 산화알루미늄층을 형성시키고, 소수성을 갖는 산화알루미늄층을 친수성으로 바꿔줌으로써 산화알루미늄층 상에 무전해니켈도금방식으로 니켈 도전층을 형성할 수 있도록 한 방열기판 제조방법에 관한 것으로서, 알루미늄 기판을 아세톤(C8H2O)에 침지시켜 알루미늄 기판의 표면에 유분이나 이물질을 제거하는 탈지 단계; 염산(HCl), 황산(H2SO4) 및 순수(H20)가 혼합된 혼합액에 침지시켜 전류를 가하는 전해에칭 단계; 순수(H20)에 침지시켜 알루미늄 기판의 표면에 산화알루미늄(Al2O3)을 형성시키는 수화처리 단계; 질산(HNO3)과 순수(H20)가 혼합된 혼합액에 침지시켜 알루미늄 기판의 표면에 형성된 스머트를 제거하는 디스머트 단계; 황산(H2SO4)와 순수(H20)가 혼합된 혼합액에 침지시켜 전류를 가하는 양극산화 단계; 착산코발트(Co(CH3CO2)2), 착산니켈(Ni(CH3CO2)2), 붕산(H3BO3) 및 순수(H20)가 혼합된 혼합액에 침지시켜 전류를 가하는 봉공처리 단계; 암모니아(NH3)와 순수(H20)가 혼합된 혼합액에 침지시켜 알루미늄 기판의 표면에 친수성을 부여하는 친수화처리 단계; 염화주석(SnCl2)과 염산(HCl) 및 순수(H20)가 혼합된 혼합액에 침지시켜 알루미늄 기판의 표면에 Sn2+를 형성하는 민감화처리 단계; 염화팔라듐(PdCl2)와 염산(HCl) 및 순수(H20)가 혼합된 혼합액에 침지시켜 알루미늄 표면에 팔라듐(Pd) 핵을 형성하는 활성화처리 단계; 및 황산니켈(NiSO4), 차아인산소다(NaH2PO2), 구연산소다(C6H5Na3O7), 붕산(H3BO3) 및 순수(H20)가 혼합된 혼합액에 침지시켜 니켈(Ni) 도전층을 형성하는 무전해니켈도금 단계;를 포함하여 제조되는 것을 특징으로 한다.

대표청구항 ▼

알루미늄 기판을 아세톤(C8H2O)에 침지시켜 알루미늄 기판의 표면에 유분이나 이물질을 제거하는 탈지 단계;염산(HCl), 황산(H2SO4) 및 순수(H20)가 혼합된 혼합액에 침지시켜 전류를 가하는 전해에칭 단계;순수(H20)에 침지시켜 알루미늄 기판의 표면에 산화알루미늄(Al2O3)을 형성시키는 수화처리 단계;질산(HNO3)과 순수(H20)가 혼합된 혼합액에 침지시켜 알루미늄 기판의 표면에 형성된 스머트를 제거하는 디스머트 단계;황산(H2SO4)와 순수(H20)가 혼합된 혼합액에 침지시켜 전류를 가하는 양극산화 단계;착산코발트(

알루미늄 기판을 아세톤(C8H2O)에 침지시켜 알루미늄 기판의 표면에 유분이나 이물질을 제거하는 탈지 단계;염산(HCl), 황산(H2SO4) 및 순수(H20)가 혼합된 혼합액에 침지시켜 전류를 가하는 전해에칭 단계;순수(H20)에 침지시켜 알루미늄 기판의 표면에 산화알루미늄(Al2O3)을 형성시키는 수화처리 단계;질산(HNO3)과 순수(H20)가 혼합된 혼합액에 침지시켜 알루미늄 기판의 표면에 형성된 스머트를 제거하는 디스머트 단계;황산(H2SO4)와 순수(H20)가 혼합된 혼합액에 침지시켜 전류를 가하는 양극산화 단계;착산코발트(Co(CH3CO2)2), 착산니켈(Ni(CH3CO2)2), 붕산(H3BO3) 및 순수(H20)가 혼합된 혼합액에 침지시켜 전류를 가하는 봉공처리 단계;암모니아(NH3)와 순수(H20)가 혼합된 혼합액에 침지시켜 알루미늄 기판의 표면에 친수성을 부여하는 친수화처리 단계;염화주석(SnCl2)과 염산(HCl) 및 순수(H20)가 혼합된 혼합액에 침지시켜 알루미늄 기판의 표면에 Sn2+를 형성하는 민감화처리 단계;염화팔라듐(PdCl2)와 염산(HCl) 및 순수(H20)가 혼합된 혼합액에 침지시켜 알루미늄 표면에 팔라듐(Pd) 핵을 형성하는 활성화처리 단계; 및황산니켈(NiSO4), 차아인산소다(NaH2PO2), 구연산소다(C6H5Na3O7), 붕산(H3BO3) 및 순수(H20)가 혼합된 혼합액에 침지시켜 니켈(Ni) 도전층을 형성하는 무전해니켈도금 단계;를 포함하여 제조되는 것을 특징으로 하는 방열기판 제조방법.