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[한국특허] 에지전극이 내장된 정전척 및 그 제조방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H01L-021/683
  • B23Q-003/15
  • H02N-013/00
출원번호 10-2017-0116930 (2017-09-13)
등록번호 10-1814554-0000 (2017-12-27)
DOI http://doi.org/10.8080/1020170116930
발명자 / 주소
  • 김오수 / 경기도 수원시 영통구 영통로 ***, 대우.동신아파트 ***동 ***호
  • 권병호 / 경기도 수원시 권선구 동수원로***번길 ** 수원아이파크시티 ***동****호
  • 박선일 / 경기도 수원시 영통구 청명로 *** 벽산아파트 ***동 ***호
  • 국존호 / 경기도 오산시 내삼미로 *** 호반베르디움 ***동 ****호
  • 박선태 / 경기도 수원시 팔달구 팔달문로 ***번길 **-*
  • 한태인 / 경기도 수원시 영통구 인계로 *** 주공아파트 ***동 ***호
  • 김동훈 / 서울특별시 중랑구 용마산로**길 ** 용마동아아파트 ***동 ***호
  • 김대국 / 경기도 화성시 동탄면 동탄산단*길 *-*
  • 곽태원 / 서울특별시 송파구 송이로**길 **
출원인 / 주소
  • 주식회사 티에스시 / 경기도 화성시 향남읍 토성로 ***-**
대리인 / 주소
  • 안승태
심사청구여부 있음 (2017-09-13)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 등록

초록

웨이퍼 에지부와의 흡착력을 충분하게 확보하고, 웨이퍼가 정전척으로부터 탈리되는 속도를 높이며, 적층 및 소결에 의해 제조할 수 있는 에지전극이 내장된 정전척 및 그 제조방법을 제시한다. 그 정전척 및 방법은 베이스와 접착된 복합 유전층을 포함하고, 복합 유전층은 히터 유전층 및 정전 유전층으로 구분되며, 정전 유전층에는 중심전극 및 에지전극으로 이루어진 흡착전극이 매립되고, 에지전극은 중심전극의 외측에 위치하고 중심전극과 평행하며, 중심전극보다 탑재된 웨이퍼에 가깝게 배치되고, 정전 유전층은 적층되어 소결에 의해 제조된다.

대표청구항

베이스 및 상기 베이스와 접착된 복합 유전층을 포함하고,상기 복합 유전층은 히터 유전층 및 정전 유전층으로 구분되며,상기 정전 유전층에는 중심전극 및 에지전극으로 이루어진 흡착전극이 매립되고, 상기 에지전극은 상기 중심전극의 외측에 위치하고 상기 중심전극과 평행하며, 상기 중심전극보다 탑재된 웨이퍼에 가깝게 배치되고,상기 중심전극 및 상기 에지전극 사이에는 제2 전기장(E2) 기울기가 형성되며, 상기 제2 전기장(E2) 기울기에 의해 상기 웨이퍼의 탈리속도가 조절되는 것을 특징으로 하는 에지전극이 내장된 정전척.

이 특허에 인용된 특허 (4)

  1. [일본] ELECTROSTATIC CHUCK | ENDO TAMIO
  2. [한국] 정전척 어셈블리, 이를 구비하는 반도체 제조장치, 및 이를 이용한 플라즈마 처리방법 | 박명수, 김학영, 임준호, 양장규
  3. [일본] ELECTROSTATIC CHUCK | HIRAMATSU YASUJI, ITO YASUTAKA
  4. [미국] ELECTROSTATIC CHUCK | APPLIED MATERIALS, INC.

이 특허를 인용한 특허 (2)

  1. [한국] 플라즈마 식각 장치 및 방법 | 선종우, 김교혁, 김태화, 박해중, 한제우
  2. [한국] 부분적으로 전극이 형성된 바이폴라 정전척 | 조생현
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