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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2017-0119502 (2017-09-18) | |
공개번호 | 10-2019-0031730 (2019-03-27) | |
등록번호 | 10-2430771-0000 (2022-08-04) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020170119502 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2020-08-31) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 스티렌화 페놀의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 저온 공정 조건임에도 불구하고, 고수율로 스티렌화 페놀을 제조할 수 있으며, 반응물질인 스티렌 화합물의 잔류량을 최소화함은 물론 생성물질의 조성비의 변화를 최소화할 수 있어 균일한 생성물질을 수득할 수 있다. 특히, 본 발명에 따르면 할로겐화제의 사용량을 조절함에 따라 다이 스티렌화 페놀의 선택성을 용이하게 조절할 수 있다.
인듐 클로라이드; 및N-브로모 숙신이미드, N-클로로 숙신이미드, N-아이오도 숙신이미드, N-브로모 프탈이미드, N-클로로 프탈이미드 및 N-아이오도 프탈이미드에서 선택되는 하나 이상인 할로겐화제 존재 하에서,0 내지 60℃ 이하의 반응온도에서 페놀 화합물과 스티렌 화합물을 반응시키는 단계;를 포함하는 스티렌화 페놀의 제조방법.
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