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리튬 이차전지용 고분자 재료 및 그 제조방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H01M-004/62
  • C08G-061/12
  • C08L-065/00
  • H01M-010/052
  • H01M-010/0565
  • H01M-004/13
출원번호 10-2017-0126604 (2017-09-28)
공개번호 10-2019-0037019 (2019-04-05)
등록번호 10-2315399-0000 (2021-10-14)
DOI http://doi.org/10.8080/1020170126604
발명자 / 주소
  • 채종현 / 대전광역시 유성구 문지로 *** LG화학 기술연구원
  • 이종찬 / 서울특별시 서초구 나루터로*길 **, ***동 ****호 (잠원동, 신반포*차아파트)
  • 이연주 / 대전광역시 유성구 문지로 *** LG화학 기술연구원
  • 김대일 / 대전광역시 유성구 문지로 *** LG화학 기술연구원
  • 김루시아 / 대전광역시 유성구 문지로 *** LG화학 기술연구원
  • 이제훈 / 대전광역시 유성구 문지로 *** LG화학 기술연구원
  • 김나경 / 서울특별시 구로구 신도림로 **-**, ***동 ****호 (신도림동, 신도림*차e-편한세상)
  • 정다운 / 서울특별시 도봉구 노해로**길 **, ****동 ***호 (창동, 주공**단지아파트)
출원인 / 주소
  • 주식회사 엘지화학 / 서울특별시 영등포구 여의대로 *** (여의도동)
  • 서울대학교산학협력단 / 서울특별시 관악구 관악로 * (신림동)
대리인 / 주소
  • 김성호
심사청구여부 있음 (2018-11-13)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 등록

초록

본 발명은 이온 전도도와 전자 전도도를 동시에 갖는 리튬 이차전지용 고분자 재료 및 그 제조방법에 관한 것이다. 상기 고분자 재료는 폴리티오펜계 고분자와 전도성 고분자의 블렌드 형태를 포함하며, 상기 고분자 재료는 폴리티오펜계 고분자를 형성하는 단계, 전도성 고분자를 형성하는 단계 및 상기 폴리티오펜계 고분자와 전도성 고분자를 열처리 하는 단계를 포함하는 제조방법을 거쳐 형성될 수 있다.

대표청구항

하기 화학식 1로 표시되는 폴리티오펜계 고분자 및 전도성 고분자를 포함하며, 상기 전도성 고분자는 폴리-(3,4-에틸렌디옥시티오펜):폴리(스티렌설포네이트)(PEDOT:PSS)를 포함하는 것을 특징으로 하는 리튬 이차전지용 고분자 재료.[화학식 1](상기 화학식에서, n은 70 내지 280이고, PEG는 Polyethylene glycol로서 PEG의 Ethylene oxide unit의 수를 m이라 할 때 m은 4 내지 15임)

발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (3)

  1. [일본] LITHIUM SECONDARY BATTERY | KANBARA TERUHISA, SATO YOSHIKO, UEMACHI YASUSHI, TONOMURA TADASHI, TAKEYAMA KENICHI
  2. [한국] 저항 안정성이 부여된 전도성 고분자 조성물 및 이를 이용한 전도성 필름 | 진용현, 송순모, 정현철, 황태일
  3. [한국] 이차전지용 활물질 및 그 제조 방법 | 이종찬, 심지민, 김희중
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