초록 ▼

본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 제조 방법은 기판의 제1면에 n- 형층, p형 영역 및 n+ 형 영역을 순차적으로 형성하는 단계, 제1 식각 공정을 실시하여 상기 n- 형층에 상기 기판의 제1면에 대해 상부 방향으로 볼록한 하부면을 포함하는 예비 트렌치를 형성하는 단계, 제1 열 산화 공정을 실시하여 상기 예비 트렌치의 측면에 위치하는 예비 제1 부분 및 상기 트렌치의 하부에 위치하는 예비 제2 부분을 포함하는 예비 게이트 절연막을 형성하는 단계, 제2 식각 공정을 실시하여 상기 예비 트렌치의 하부면 및 상기 예비 제2

본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 제조 방법은 기판의 제1면에 n- 형층, p형 영역 및 n+ 형 영역을 순차적으로 형성하는 단계, 제1 식각 공정을 실시하여 상기 n- 형층에 상기 기판의 제1면에 대해 상부 방향으로 볼록한 하부면을 포함하는 예비 트렌치를 형성하는 단계, 제1 열 산화 공정을 실시하여 상기 예비 트렌치의 측면에 위치하는 예비 제1 부분 및 상기 트렌치의 하부에 위치하는 예비 제2 부분을 포함하는 예비 게이트 절연막을 형성하는 단계, 제2 식각 공정을 실시하여 상기 예비 트렌치의 하부면 및 상기 예비 제2 부분을 식각하여 트렌치를 형성하는 단계, 그리고 제2 열 산화 공정을 실시하여 상기 트렌치 내에 게이트 절연막을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 게이트 절연막은 상기 트렌치의 측면에 위치하는 제1 부분 및 상기 트렌치의 하부면에 위치하는 제2 부분을 포함하고, 상기 예비 제1 부분의 두께는 상기 예비 제2 부분의 두께보다 두껍고, 상기 예비 제1 부분의 두께는 상기 제1 부분의 두께보다 두껍고, 상기 제1 부분의 두께와 상기 제2 부분의 두께는 동일하다.

대표청구항 ▼

기판의 제1면에 n- 형층, p형 영역 및 n+ 형 영역을 순차적으로 형성하는 단계,상기 n- 형층, p형 영역 및 n+ 형 영역이 기판과 함께 탄화 규소(silicon carbide, SiC)로 형성되며, 제1 식각 공정을 실시하여 상기 n- 형층에 상기 기판의 제1면에 대해 상부 방향으로 볼록한 하부면을 포함하는 예비 트렌치를 형성하는 단계,제1 열 산화 공정을 실시하여 상기 예비 트렌치의 측면에 위치하는 예비 제1 부분 및 상기 트렌치의 하부에 위치하는 예비 제2 부분을 포함하는 예비 게이트 절연막을 형성하는 단계,제2 식각

기판의 제1면에 n- 형층, p형 영역 및 n+ 형 영역을 순차적으로 형성하는 단계,상기 n- 형층, p형 영역 및 n+ 형 영역이 기판과 함께 탄화 규소(silicon carbide, SiC)로 형성되며, 제1 식각 공정을 실시하여 상기 n- 형층에 상기 기판의 제1면에 대해 상부 방향으로 볼록한 하부면을 포함하는 예비 트렌치를 형성하는 단계,제1 열 산화 공정을 실시하여 상기 예비 트렌치의 측면에 위치하는 예비 제1 부분 및 상기 트렌치의 하부에 위치하는 예비 제2 부분을 포함하는 예비 게이트 절연막을 형성하는 단계,제2 식각 공정을 실시하여 상기 예비 트렌치의 하부면 및 상기 예비 제2 부분을 식각하여 트렌치를 형성하되, 식각 가스를 주입하는 압력 및 RF 전력을 조절하여 상기 예비 게이트 절연막의 예비 제1 부분 및 예비 트렌치의 하부면을 식각하는 단계, 그리고제2 열 산화 공정을 실시하여 상기 트렌치 내에 게이트 절연막을 형성하는 단계를 포함하고,상기 게이트 절연막은 상기 트렌치의 측면에 위치하는 제1 부분 및 상기 트렌치의 하부면에 위치하는 제2 부분을 포함하고,상기 예비 제1 부분의 두께는 상기 예비 제2 부분의 두께보다 두껍고,상기 예비 제1 부분의 두께는 상기 제1 부분의 두께보다 두껍고,상기 제1 부분의 두께와 상기 제2 부분의 두께는 동일한 반도체 소자의 제조 방법.