초록 ▼

본 발명은 다이아몬드 양자노드와 이를 생성하는 방법 및 이에 따라 생성된 다이아몬드 양자노드를 제어하는 방법과 장치를 개시하고 있다. 본 발명의 일 실시예는, 전자스핀과 핵스핀을 포함하는 NV 중심 및 전자스핀과 핵스핀을 포함하는 질소 불순물을 포함하고, 상기 NV 중심의 전자스핀과 상기 질소 불순물의 전자스핀 간 자기 쌍극자 상호작용에 의해 형성되는 다이아몬드 양자노드를 제공한다. 본 발명에 따르면, 다이아몬드 결정에 질소 이온을 주입하여 생성된 NV 중심과 NV 중심으로 생성되지 못한 질소 불순물(P1 중심)의 전자스핀을 이용하

본 발명은 다이아몬드 양자노드와 이를 생성하는 방법 및 이에 따라 생성된 다이아몬드 양자노드를 제어하는 방법과 장치를 개시하고 있다. 본 발명의 일 실시예는, 전자스핀과 핵스핀을 포함하는 NV 중심 및 전자스핀과 핵스핀을 포함하는 질소 불순물을 포함하고, 상기 NV 중심의 전자스핀과 상기 질소 불순물의 전자스핀 간 자기 쌍극자 상호작용에 의해 형성되는 다이아몬드 양자노드를 제공한다. 본 발명에 따르면, 다이아몬드 결정에 질소 이온을 주입하여 생성된 NV 중심과 NV 중심으로 생성되지 못한 질소 불순물(P1 중심)의 전자스핀을 이용하여 사용 가능한 양자 메모리(핵스핀)의 개수를 늘릴 수 있다.

대표청구항 ▼

다이아몬드에 질소 이온을 주입하여 형성되는 NV 중심과 NV 중심으로 생성되지 못한 채 남게 되는 질소 불순물을 이용하여 형성되는 다이아몬드 양자노드에 있어서, 전자스핀과 핵스핀을 포함하는 NV 중심; 및전자스핀과 핵스핀을 포함하는 질소 불순물을 포함하고,상기 NV 중심의 전자스핀과 상기 질소 불순물의 전자스핀 간 자기 쌍극자 상호작용에 의해 형성되며, 상기 NV 중심의 전자스핀과 상기 질소 불순물의 전자스핀 간의 자기 쌍극자 상호작용에 의해 이온 주입된 질소이온 중 NV중심으로 변환되지 못한 상기 질소불순물을 이용하여 사용 가능한

다이아몬드에 질소 이온을 주입하여 형성되는 NV 중심과 NV 중심으로 생성되지 못한 채 남게 되는 질소 불순물을 이용하여 형성되는 다이아몬드 양자노드에 있어서, 전자스핀과 핵스핀을 포함하는 NV 중심; 및전자스핀과 핵스핀을 포함하는 질소 불순물을 포함하고,상기 NV 중심의 전자스핀과 상기 질소 불순물의 전자스핀 간 자기 쌍극자 상호작용에 의해 형성되며, 상기 NV 중심의 전자스핀과 상기 질소 불순물의 전자스핀 간의 자기 쌍극자 상호작용에 의해 이온 주입된 질소이온 중 NV중심으로 변환되지 못한 상기 질소불순물을 이용하여 사용 가능한 핵스핀의 개수를 늘리게 위해 결합된 상태인 것을 특징으로 하는 다이아몬드 양자노드.