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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2017-0144860 (2017-11-01) | |
등록번호 | 10-1943893-0000 (2019-01-24) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020170144860 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2017-11-01) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명에 따른 부엽 억제를 위한 파라볼릭 오프셋 안테나 혼 지지대 설계 방법을 이용한 안테나 시스템은, 반사판의 주면은 파라볼릭 곡면 특성을 따르며 하나의 초점을 가지고 상기 초점의 높이가 상기 반사판의 중앙 높이보다 낮은 오프셋 파라볼릭 안테나; 및 특정 각도 범위 밖에서 부엽 수준을 기 설정된 수준 이하로 제한하도록 설계된 위치에 배치되는 혼 지지대를 포함하고, 상기 혼 지지대는 혼 지지대 회피 기준 구역의 바깥쪽에 배치되는 것을 특징으로 하고, 오프셋 파라볼릭 곡면의 고유 파라미터인 초점값, 오프셋 높이와 기준 회피 각도에
부엽 억제를 위한 파라볼릭 오프셋 안테나 혼 지지대 설계 방법을 이용한 안테나 시스템에 있어서, 반사판의 주면은 파라볼릭 곡면 특성을 따르며 하나의 초점을 가지고 상기 초점의 높이가 상기 반사판의 중앙 높이보다 낮은 오프셋 파라볼릭 안테나; 및메인 빔으로부터 특정 각도 범위 밖에서 원하는 부엽 수준을 기 설정된 수준 이하로 제한하도록 설계된 위치인 혼 지지대 회피 기준 구역의 바깥쪽에 배치되는 혼 지지대를 포함하고,상기 혼 지지대 회피 기준 구역은, 반사판 안쪽으로 반사되는 벡터인 를 기준으로 지정되고, 상기 벡터는와 같이 결정되고
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