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연합인증

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신규한 질화규소 분말의 제조방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • C01B-021/068
  • C04B-035/584
  • C04B-035/64
출원번호 10-2017-0162475 (2017-11-30)
공개번호 10-2019-0063580 (2019-06-10)
등록번호 10-2047662-0000 (2019-11-18)
DOI http://doi.org/10.8080/1020170162475
발명자 / 주소
  • 조인철 / 경기도 평택시 서탄면 수월암*길 **
출원인 / 주소
  • (주) 존인피니티 / 경기도 평택시 서탄면 수월암*길 **
대리인 / 주소
  • 김홍균
심사청구여부 있음 (2017-11-30)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 등록

초록

본 발명은 직접질화법에 의한 질화규소 생성 후, 저온에서의 열처리를 통해, 소결 시 우수한 기계적 물성이 나타나는 질화규소 분말의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따라 제조된 질화규소 분말은 α상 질화규소 함량이 높아 소결성이 우수하고, 산소 함량이 낮아 소결 시 고온에서의 기계적 강도가 높으며, 종래의 질화규소에 비하여 소결 시 3점 굽힘 강도 등 기계적 물성이 더욱 개선된 것을 특징으로 한다.

대표청구항

규소 분말을 0.1 내지 1atm의 질소-수소 혼합 가스 분위기에서 1400 내지 1750℃의 온도로 3 내지 10시간 가열하여 질화규소를 생성하는 단계;상기 질화규소를 0.1 내지 0.5atm의 질소 가스 분위기에서 1 내지 5℃/min의 승온속도로 승온하여 700 내지 900℃의 온도에서 1 내지 3시간 동안 열처리하여 질화규소 분말을 제조하는 단계; 및상기 질화규소 분말에 소결조제를 첨가하여 질소 가스 분위기에서 1600 내지 1900℃의 온도로 3 내지 5시간 소성하여 질화규소 소결체를 제조하는 단계를 포함하고,상기 질소-수

이 특허에 인용된 특허 (3)

  1. [일본] PRODUCTION OF ALPHA TYPE SILICON NITRIDE POWDER | KUWABARA HARUYOSHI, OTSUKA AKIO
  2. [일본] PRODUCTION OF SILICON NITRIDE REACTION SINTERED COMPACT | HAMAZAKI KAGEHISA, TOYODA HITOSHI, MIYAKE KAZUMI
  3. [일본] MANUFACTURE OF SILICON NITRIDE SYSTEM CERAMICS PART | ITO YASUSHI, YAMAMOTO TAKEHISA, NISHIOKA TAKAO, YAMAKAWA AKIRA, KOMURA OSAMU
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