초록

본 발명에 따른 개시제를 이용한 화학 기상 증착(Initiated Chemical Vapor Deposition, iCVD)의 다층 시스템은 내부에 기판을 수용할 수 있는 복수의 챔버; 상기 복수의 챔버 각각에 단량체를 주입하는 복수의 단량체 주입부; 상기 복수의 챔버 각각에 개시제를 주입하는 복수의 개시제 주입부; 상기 단량체 및 상기 개시제를 이용하여 상기 기판에 박막을 형성하기 위해 상기 복수 개의 챔버 각각의 온도를 조절하는 복수의 온도 조절부를 포함할 수 있다.

대표청구항 ▼

내부에 기판을 수용할 수 있는 챔버가 수직으로 적층된 복수의 챔버;상기 복수의 챔버 각각에 단량체를 주입하는 복수의 단량체 주입부;상기 복수의 챔버 각각에 개시제를 주입하는 복수의 개시제 주입부;상기 단량체 및 상기 개시제를 이용하여 상기 기판에 박막을 형성하기 위해 상기 복수 개의 챔버 각각의 온도를 조절하는 복수의 온도 조절부;자유 라디칼(free radical)을 형성하기 위하여 상기 개시제를 열분해하는 가열부; 및상기 자유 라디칼과 상기 단량체를 상기 기판에 흡착시키기 위해 상기 복수의 챔버 각각의 적어도 일부분의 온도를 낮

내부에 기판을 수용할 수 있는 챔버가 수직으로 적층된 복수의 챔버;상기 복수의 챔버 각각에 단량체를 주입하는 복수의 단량체 주입부;상기 복수의 챔버 각각에 개시제를 주입하는 복수의 개시제 주입부;상기 단량체 및 상기 개시제를 이용하여 상기 기판에 박막을 형성하기 위해 상기 복수 개의 챔버 각각의 온도를 조절하는 복수의 온도 조절부;자유 라디칼(free radical)을 형성하기 위하여 상기 개시제를 열분해하는 가열부; 및상기 자유 라디칼과 상기 단량체를 상기 기판에 흡착시키기 위해 상기 복수의 챔버 각각의 적어도 일부분의 온도를 낮추는 냉각부를 포함하되,상기 복수의 단량체 주입부는상기 복수의 챔버 각각에 수용된 기판마다 서로 다른 박막이 형성되도록 하기 위하여 상기 복수의 챔버 각각에 서로 다른 단량체를 주입하며,상기 가열부는상기 복수의 챔버 각각에 서로 다른 단량체가 주입되는 경우, 상기 서로 다른 단량체 각각이 상기 개시제와 함께 열분해되지 않도록 서로 다른 온도로 상기 개시제를 열분해하는 것을 특징으로 하는, 다층 iCVD 시스템.