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연합인증

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이는 여행자가 자국에서 발행 받은 여권으로 세계 각국을 자유롭게 여행할 수 있는 것과 같습니다.

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모스 전계 효과 트랜지스터 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H01L-029/772
  • H01L-021/28
출원번호 10-2018-0028083 (2018-03-09)
공개번호 10-2019-0106504 (2019-09-18)
등록번호 10-2438375-0000 (2022-08-26)
DOI http://doi.org/10.8080/1020180028083
발명자 / 주소
  • 최병건 / 대전광역시 서구 둔산동 둔산북로 ***한마루아파트 ***-***
  • 강성원 / 대전시 유성구 대덕대로 *** 로덴하우스 ***동 ***호
  • 오광일 / 대전광역시 서구 월평동로 **, ***동 ****호 (월평동, 진달래아파트)
출원인 / 주소
  • 한국전자통신연구원 / 대전광역시 유성구 가정로 *** (가정동)
대리인 / 주소
  • 특허법인 고려
심사청구여부 있음 (2020-12-24)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 등록

초록

모스 전계 효과 트랜지스터는, 기판 상의 게이트 전극, 상기 게이트 전극 양 측의 상기 기판 상에 제공되는 소스/드레인 영역들, 및 상기 기판 상에 상기 게이트 전극으로부터 이격되는 바디 전극을 포함한다. 상기 바디 전극은 방사성 동위 원소를 포함한다

대표청구항

기판 상의 게이트 전극;상기 게이트 전극 양 측의 상기 기판 상에 제공되는 소스/드레인 영역들;상기 기판 상에 상기 소스/드레인 영역들로부터 이격되고, 상기 소스/드레인 영역들과 다른 도전형을 갖는 픽업 영역; 및상기 기판 상에 상기 게이트 전극으로부터 이격되고, 상기 픽업 영역 상에 배치되는 바디 전극을 포함하되,상기 바디 전극은 상기 픽업 영역 상에 차례로 적층된 전극층 및 방사성 동위 원소층을 포함하고,상기 전극층은 상기 픽업 영역과 상기 방사성 동위 원소층 사이에 개재되고,상기 방사성 동위 원소층은 전자 또는 양전자를 방출하

발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (1)

  1. [일본] SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE | HIDAKA HIDETO
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