최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
---|---|---|
국제특허분류(IPC8판) |
|
|
출원번호 | 10-2018-0028083 (2018-03-09) | |
공개번호 | 10-2019-0106504 (2019-09-18) | |
등록번호 | 10-2438375-0000 (2022-08-26) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020180028083 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
|
|
대리인 / 주소 |
|
|
심사청구여부 | 있음 (2020-12-24) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
모스 전계 효과 트랜지스터는, 기판 상의 게이트 전극, 상기 게이트 전극 양 측의 상기 기판 상에 제공되는 소스/드레인 영역들, 및 상기 기판 상에 상기 게이트 전극으로부터 이격되는 바디 전극을 포함한다. 상기 바디 전극은 방사성 동위 원소를 포함한다
기판 상의 게이트 전극;상기 게이트 전극 양 측의 상기 기판 상에 제공되는 소스/드레인 영역들;상기 기판 상에 상기 소스/드레인 영역들로부터 이격되고, 상기 소스/드레인 영역들과 다른 도전형을 갖는 픽업 영역; 및상기 기판 상에 상기 게이트 전극으로부터 이격되고, 상기 픽업 영역 상에 배치되는 바디 전극을 포함하되,상기 바디 전극은 상기 픽업 영역 상에 차례로 적층된 전극층 및 방사성 동위 원소층을 포함하고,상기 전극층은 상기 픽업 영역과 상기 방사성 동위 원소층 사이에 개재되고,상기 방사성 동위 원소층은 전자 또는 양전자를 방출하
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.