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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2018-0035240 (2018-03-27) | |
공개번호 | 10-2019-0113066 (2019-10-08) | |
등록번호 | 10-2093502-0000 (2020-03-19) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020180035240 | |
발명자 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2018-03-27) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
생분해성 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조 방법을 개시한다. 실시예에 따른 생분해성 전계 효과 트랜지스터는 기판, 기판 상에 형성되는 반도체층, 반도체층 상에 서로 이격되어 형성되는 소스 전극 및 드레인 전극, 소스 전극 및 상기 드레인 전극 상에 형성되는 유전체층 및 유전체층 상에 형성되는 게이트 전극을 포함하고, 상기 기판은 생분해성 물질로 구성되고, 상기 유전체층은 펩타이드 기반의 물질로 구성되며, 상기 반도체층은 무기 반도체 물질로 구성되는 것을 특징으로 한다.
기판; 상기 기판 상에 형성되는 반도체층;상기 반도체층 상에 서로 이격되어 형성되는 소스 전극 및 드레인 전극;상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 상에 형성되는 유전체층; 및상기 유전체층 상에 형성되는 게이트 전극;을 포함하고, 상기 기판은 생분해성 물질로 구성되고, 상기 유전체층은 펩타이드 기반의 물질로 구성되며, 상기 반도체층은 무기 반도체 물질로 구성되며,상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 게이트 전극 중 적어도 어느 하나는 생분해성 금속으로 구성되며,상기 무기 반도체 물질은 흑린인 것을 특징으로 하는 생분해성 전계
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