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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2018-0042301 (2018-04-11) | |
공개번호 | 10-2018-0118525 (2018-10-31) | |
등록번호 | 10-2048064-0000 (2019-11-18) | |
우선권정보 | 대한민국(KR) 1020170051625 (2017-04-21) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020180042301 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2018-04-11) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 화학적 개질을 이용한 이온교환막의 제조방법 및 이에 따라 제조된 이온교환막에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 과불소계 술폰산 전해질막의 술폰산기를 탄산기로 개질하는 것을 특징으로 하며, 과불소계 술폰산 전해질막의 술폰산기를 염소화 반응시키는 단계; 상기 염소화 반응이 수행된 전해질막을 나이트릴화 반응시키는 단계; 및 상기 나이트릴화 반응이 수행된 전해질막을 가수분해 반응시키는 단계를 포함하는 이온교환막의 제조 방법 및 이에 따라 화학적으로 개질된 이온교환막에 관한 것이다.
과불소계 술폰산 전해질막의 술폰산기를 탄산기로 개질하는 것을 특징으로 하는 이온교환막의 제조 방법으로서, a) 과불소계 술폰산 전해질막의 술폰산기를 염소화 반응시키는 단계;b) 상기 염소화 반응이 수행된 전해질막을 나이트릴화 반응시키는 단계; 및 c) 상기 나이트릴화 반응이 수행된 전해질막을 가수분해 반응시키는 단계를 포함하는 이온교환막의 제조 방법.
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