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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2018-0042725 (2018-04-12) | |
공개번호 | 10-2018-0118529 (2018-10-31) | |
등록번호 | 10-2048070-0000 (2019-11-18) | |
우선권정보 | 대한민국(KR) 1020170051625 (2017-04-21) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020180042725 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2018-04-12) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 화학적으로 개질된 음이온 교환막 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 과불소계 술폰산 전해질막의 술폰산기가 암모늄기, 포스포늄기, 이미다졸륨기, 피리듐기 또는 설포늄기와 같은 음이온 전도성 작용기로 개질된 음이온 교환막 및 과불소계 술폰산 전해질막의 술폰산기를 화학적으로 개질하여 음이온 교환막을 제조하는 방법에 관한 것이다.
과불소계 술폰산 전해질막의 술폰산기를 음이온 전도성 작용기인 암모늄기로 개질하는 것을 특징으로 하는 음이온 교환막의 제조 방법으로서, a) 과불소계 술폰산 전해질막의 술폰산기를 염소화 반응시키는 단계;b) 상기 염소화 반응이 수행된 전해질막을 질산화 반응시키는 단계;c) 상기 질산화 반응이 수행된 전해질막을 아민화 반응시키는 단계; 및d) 상기 아민화 반응이 수행된 전해질막을 알칼리화 반응시켜 음이온 전도성 작용기를 활성화시키는 단계를 포함하는 음이온 교환막의 제조방법
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