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연합인증

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황산구리, 황산구리 용액, 도금액, 황산구리의 제조 방법, 반도체 회로 기판의 제조 방법 및 전자기기의 제조 방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC8판)
  • C01G-003/10
  • C25D-003/38
  • C25D-007/12
  • H05K-003/18
출원번호 10-2018-0044744 (2018-04-18)
공개번호 10-2018-0121368 (2018-11-07)
우선권정보 일본(JP) JP-P-2017-090247 (2017-04-28);일본(JP) JP-P-2018-019614 (2018-02-06)
DOI http://doi.org/10.8080/1020180044744
발명자 / 주소
  • 나가우라 도모타 / 일본국 ******* 이바라키현 히타치시 시로가네쵸 *쵸메 *반 *고 제이엑스금속주식회사 히타치사업소 내
  • 이시이 마사후미 / 일본국 ******* 이바라키현 히타치시 시로가네쵸 *쵸메 *반 *고 제이엑스금속주식회사 히타치사업소 내
출원인 / 주소
  • 제이엑스금속주식회사 / 일본 도쿄도 지요다쿠 오테마치 *쵸메 *방 *고
대리인 / 주소
  • 특허법인 대아
심사청구여부 있음 (2018-04-18)
심사진행상태 거절결정(재심사)
법적상태 거절

초록

[과제] 철 농도를 저감한 황산구리, 황산구리 용액, 도금액, 황산구리의 제조 방법, 반도체 회로 기판의 제조 방법 및 전자기기의 제조 방법을 제공한다.[해결 수단] Fe 농도가 0.08질량ppm 이하인 황산구리이다.

대표청구항

Fe 농도가 0.08질량ppm 이하인 황산구리.

이 특허에 인용된 특허 (4)

  1. [한국] 고순도 황산동 및 그 제조방법 | 신도 유이치로, 타케모토 코우이찌
  2. [한국] 고순도 황산동 및 그 제조방법 | 신도 유이치로, 타케모토 코우이찌
  3. [한국] 고순도 술폰산구리 수용액 및 그 제조방법 | 세키구치 준노스케, 무라카미 마사오미, 이모리 도루
  4. [일본] METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE | KAMIYOSHI GOJI, SHIMIZU NORIYOSHI
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