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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2018-0048538 (2018-04-26) | |
공개번호 | 10-2019-0124498 (2019-11-05) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020180048538 | |
발명자 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2018-04-26) | |
심사진행상태 | 거절결정(재심사) | |
법적상태 | 거절 |
일 실시 예에 따른 스택 운전 최적화를 위한 고온 고분자전해질막 연료전지 스택은, 복수 개의 제 1 냉각판; 상기 복수 개의 제 1 냉각판 보다 냉매 유입구로부터 멀리 위치하는 복수 개의 제 2 냉각판; 인접한 2개의 상기 제 1 냉각판 사이에 배치되고, 제 1 개수의 제 1 셀 유닛을 포함하는 제 1 셀 어셈블리; 및 인접한 2개의 상기 제 2 냉각판 사이에 배치되고, 상기 제 1 개수보다 적은 제 2 개수의 제 2 셀 유닛을 포함하는 제 2 셀 어셈블리를 포함할 수 있다.
복수 개의 제 1 냉각판;상기 복수 개의 제 1 냉각판 보다 냉매 유입구로부터 멀리 위치하는 복수 개의 제 2 냉각판;인접한 2개의 상기 제 1 냉각판 사이에 배치되고, 제 1 개수의 제 1 셀 유닛을 포함하는 제 1 셀 어셈블리; 및인접한 2개의 상기 제 2 냉각판 사이에 배치되고, 상기 제 1 개수보다 적은 제 2 개수의 제 2 셀 유닛을 포함하는 제 2 셀 어셈블리를 포함하는, 스택 운전 최적화를 위한 고온 고분자전해질막 연료전지 스택.
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