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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2018-0051994 (2018-05-04) | |
공개번호 | 10-2019-0127405 (2019-11-13) | |
등록번호 | 10-2153734-0000 (2020-09-02) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020180051994 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2018-05-04) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은, 광전극, 이의 제조방법, 및 물분해 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로, 반도체 물질층; 상기 반도체 물질층 상의 적어도 일부분에 형성된 고분자 기초층; 및 상기 고분자 기초층 상에 적어도 일부분에 형성된 촉매물질층;을 포함하고, 상기 촉매물질층은, 전자전달물질층 및 물분해 촉매층을 포함하는 것인, 광전극, 이의 제조방법, 및 물분해 방법에 관한 것이다.
반도체 물질층;상기 반도체 물질층 상의 적어도 일부분에 형성된 고분자 기초층; 및 상기 고분자 기초층 상에 적어도 일부분에 형성된 촉매물질층; 을 포함하고,상기 촉매물질층은, 전자전달물질층 및 물분해 촉매층을 포함하고,상기 촉매물질층은, 상기 고분자 기초층 상에 형성되고, (양이온성 전자전달물질층/음이온성 물분해 촉매층)이 1회 이상 적층된 다층막;을 포함하고,상기 전자전달물질은, 그래핀, 산화그래핀 및 환원그래핀으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것인,광전극.
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