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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2018-0057922 (2018-05-21) | |
등록번호 | 10-1988932-0000 (2019-06-07) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020180057922 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2018-05-21) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 적외선 발광 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 변형의 보정을 통해 발광 효율이 향상된 1000nm 적외선 발광 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
압축 변형을 가지는 InxGa1-xAs 양자 우물층(0.13≤x≤0.15)과, 인장 변형을 가지는 GaAs1-yPy(0.07≤y≤0.11) 양자 장벽층과,상기 양자 장벽층에 비해서 압축 변형이 작은 GaInP 변형 보정층과, 및GaAs 버퍼층을 포함하는 활성층을 가지며, 여기서, 상기 InGaAs 양자 우물층과 상기 GaAsP 양자 장벽층은 교대로 적층되며,GaInP 변형 보정층은 교대로 적층되는 InGaAs 양자우물층과 GaAsP 양자장벽층 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 적외선 발광 다이오드.
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