초록 ▼

광 변조 소자가 개시된다. 상기 광 변조 소자는 비선형 광학 프로세스에서 부밴드 전이와 관련된 비선형 응답을 제공하는 다중 양자 우물(multi-quantum-well(MQW)) 층과, 상기 MQW 층의 상부에 배치되고 상기 부밴드 전이에 결합되어 전자기 공진을 하는 하나 이상의 나노 안테나 어레이를 포함하고, 상기 MQW 층은 우물층과 장벽층이 교대로 반복 적층된 구조를 갖고, 상기 우물층은 적어도 3개이고, 상기 하나 이상의 나노 안테나 어레이의 나노 안테나는 상기 나노 안테나의 길이 방향으로 가로지르는 장축선을 기준으로 비대칭

광 변조 소자가 개시된다. 상기 광 변조 소자는 비선형 광학 프로세스에서 부밴드 전이와 관련된 비선형 응답을 제공하는 다중 양자 우물(multi-quantum-well(MQW)) 층과, 상기 MQW 층의 상부에 배치되고 상기 부밴드 전이에 결합되어 전자기 공진을 하는 하나 이상의 나노 안테나 어레이를 포함하고, 상기 MQW 층은 우물층과 장벽층이 교대로 반복 적층된 구조를 갖고, 상기 우물층은 적어도 3개이고, 상기 하나 이상의 나노 안테나 어레이의 나노 안테나는 상기 나노 안테나의 길이 방향으로 가로지르는 장축선을 기준으로 비대칭이고, 동일 평면에서 상기 장축선에 직교하는 단축선을 기준으로 대칭인 기하학적 형태를 가진다.

대표청구항 ▼

비선형 광학 프로세스에서 부밴드 전이와 관련된 비선형 응답을 제공하는 다중 양자 우물(multi-quantum-well(MQW)) 층; 및상기 MQW 층의 상부에 배치되고 상기 부밴드 전이에 결합되어 전자기 공진을 하는 하나 이상의 나노 안테나 어레이;를 포함하고,상기 MQW 층은 우물층과 장벽층이 교대로 반복 적층된 구조를 갖고, 상기 우물층은 적어도 3개이고,상기 하나 이상의 나노 안테나 어레이의 나노 안테나는 상기 나노 안테나의 길이 방향으로 가로지르는 장축선을 기준으로 비대칭이고, 동일 평면에서 상기 장축선에 직교하는 단축선

비선형 광학 프로세스에서 부밴드 전이와 관련된 비선형 응답을 제공하는 다중 양자 우물(multi-quantum-well(MQW)) 층; 및상기 MQW 층의 상부에 배치되고 상기 부밴드 전이에 결합되어 전자기 공진을 하는 하나 이상의 나노 안테나 어레이;를 포함하고,상기 MQW 층은 우물층과 장벽층이 교대로 반복 적층된 구조를 갖고, 상기 우물층은 적어도 3개이고,상기 하나 이상의 나노 안테나 어레이의 나노 안테나는 상기 나노 안테나의 길이 방향으로 가로지르는 장축선을 기준으로 비대칭이고, 동일 평면에서 상기 장축선에 직교하는 단축선을 기준으로 대칭인 기하학적 형태를 가지며,상기 나노 안테나 어레이는 상보적 분할링 공진기(CSRR) 형상으로 패턴화되고, 제1축 방향으로 상기 CSRR 형상 사이에 나노 갭이 포함되어, 메탈의 자유전자들이 갇힌 상태가 되고 주파수 w에서 x축 방향으로 공진이 발생하며, 상기 나노 안테나는,상기 제1축 방향으로 길이 방향을 갖는 제1 영역(A1);상기 제1 영역의 중심에서 상기 제1축 방향과 직교하는 제2축 방향으로 볼록하게 돌출된 제2 영역(A2); 상기 제1 영역(A1)의 양 끝단에 상기 제2축 방향으로 볼록하게 돌출된 제3 영역(A3)과 제4 영역(A4); 상기 제1 영역(A1)의 상기 제1축 방향을 기준으로 상기 제 3 영역(A3)과 마주보는 제5 영역(A5); 및상기 제1 영역(A1)의 상기 제1축 방향을 기준으로 상기 제 4 영역(A4)과 마주보는 제6 영역(A6)을 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 광 변조 소자.