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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2018-0119346 (2018-10-05) | |
공개번호 | 10-2020-0039905 (2020-04-17) | |
등록번호 | 10-2563890-0000 (2023-08-04) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020180119346 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2021-09-01) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 낮은 깊은 준위 결함 밀도의 에피택셜층을 갖는 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은 제1 도전형의 SiC 단결정 기판을 제공하는 단계; 상기 기판 상에 제1 도펀트 농도를 갖는 제1 도전형의 에피택셜층을 형성하는 단계; 및 상기 에피택셜층 내의 최소한 일부에 제1 도펀트 농도보다 높은 제2 도펀트 농도의 제2 도펀트를 제1 깊이로 이온주입하는 단계;를 포함하는 SiC 반도체 소자의 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 깊은 준위 결함 밀도를 감소시켜 고전류 밀도와 높은 신뢰성을 갖는 SiC 반도체 소자
제1 도전형의 SiC 단결정 기판을 제공하는 단계;상기 기판 상에 제1 도펀트 농도를 갖는 제1 도전형의 에피택셜층을 형성하는 단계; 상기 에피택셜층 내의 최소한 일부에 제1 도펀트 농도보다 높은 제2 도펀트 농도의 제2 도펀트를 제1 깊이로 이온주입하는 단계; 및이온주입된 기판을 1600~1800℃의 Ar 분위기에서 0.5~3시간 동안 어닐링 하는 단계를 포함하고, 상기 제1 도펀트는 질소이고, 제1 도펀트 농도는 105~1015/cm3이고,상기 제2 도펀트는 질소이고 제2 도펀트 농도는 1017~1018/cm3인 것을 특징으로
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