초록 ▼

본 발명은 양극 산화 피막 제조 방법에 관한 것으로서, 피처리 대상물의 표면에 함유된 이종금속을 순차적으로 제거하고, 피처리 대상물의 표면에 아노다이징을 통해 양극산화 배리어층을 종래보다 더 두껍게 형성하는 양극 산화 피막 제조 방법에 관한 것이다. 이를 위해 이종금속이 포함된 피처리 대상물의 표면에 서로 다른 표면 조도를 복수회에 걸쳐 순차적으로 형성하는 표면조도 형성 단계,서로 다른 용액을 사용하여 피처리 대상물의 표면에 포함된 이종금속을 순차적으로 제거하는 전처리 단계, 및 양극산화 처리시 전해액을 사용하고, 양극산화 처리 온

본 발명은 양극 산화 피막 제조 방법에 관한 것으로서, 피처리 대상물의 표면에 함유된 이종금속을 순차적으로 제거하고, 피처리 대상물의 표면에 아노다이징을 통해 양극산화 배리어층을 종래보다 더 두껍게 형성하는 양극 산화 피막 제조 방법에 관한 것이다. 이를 위해 이종금속이 포함된 피처리 대상물의 표면에 서로 다른 표면 조도를 복수회에 걸쳐 순차적으로 형성하는 표면조도 형성 단계,서로 다른 용액을 사용하여 피처리 대상물의 표면에 포함된 이종금속을 순차적으로 제거하는 전처리 단계, 및 양극산화 처리시 전해액을 사용하고, 양극산화 처리 온도, 양극산화 처리 시간 및 양극산화 처리 전압을 기 설정된 조건으로 설정하여 피처리 대상물의 표면을 양극산화시켜 피처리 대상물의 표면에 기공이 형성되지 않는 양극산화 피막층 형성 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 양극 산화 피막 제조 방법이 개시된다.

대표청구항 ▼

피처리 대상물인 알루미늄 합금의 표면에 포함된 Al, Si, Fe, Cu, Mg, Cr, Zn, Ti 중 적어도 어느 하나의 이종금속을 서로 다른 용액을 사용하여 순차적으로 제거하는 전처리 단계,양극산화 처리시 전해액을 사용하고, 양극산화 처리 온도, 양극산화 처리 시간 및 양극산화 처리 전압을 기 설정된 조건으로 설정하여 피처리 대상물의 표면을 양극산화시켜 피처리 대상물의 표면에 기공이 형성되지 않는 양극산화 피막층 형성 단계를 포함하며,상기 전처리 단계는,탈지액을 사용하여 오염물을 제거하는 탈지 단계,제1 산성용액을 사용하여 A

피처리 대상물인 알루미늄 합금의 표면에 포함된 Al, Si, Fe, Cu, Mg, Cr, Zn, Ti 중 적어도 어느 하나의 이종금속을 서로 다른 용액을 사용하여 순차적으로 제거하는 전처리 단계,양극산화 처리시 전해액을 사용하고, 양극산화 처리 온도, 양극산화 처리 시간 및 양극산화 처리 전압을 기 설정된 조건으로 설정하여 피처리 대상물의 표면을 양극산화시켜 피처리 대상물의 표면에 기공이 형성되지 않는 양극산화 피막층 형성 단계를 포함하며,상기 전처리 단계는,탈지액을 사용하여 오염물을 제거하는 탈지 단계,제1 산성용액을 사용하여 Al과 적어도 Mg, Si 중 어느 하나를 포함한 제1 이종금속을 제거하며, 상기 Al의 제거에 의해 피처리 대상물이 평탄화되는 에칭 단계, 제2 산성용액을 사용하여 상기 에칭으로 제거할 수 없는 제2 이종금속을 순차적으로 제거하는 복수의 디스멋 단계를 포함하며, 상기 복수의 디스멋 단계는,1차 산성용액을 사용하여 상기 Al이 제거되지 않으면서 상기 제1 이종금속을 추가적으로 제거하는 1차 디스멋 단계,상기 1차 디스멋의 산성용액과는 다른 2차 산성용액을 사용하여 상기 제2 이종금속을 최종적으로 제거하는 2차 디스멋 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 양극 산화 피막 제조 방법.