초록 ▼

본 발명은 강화인자를 이용한 고체전해질 멤브레인의 제조방법 및 이로부터 제조된 고체전해질 멤브레인, 이를 포함하는 전고체전지에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 황화물계 고체전해질과 강화인자(reinforcement factor)를 혼합하여 시트 형태 또는 자유형상의 고체전해질 멤브레인을 제조함으로써, 충격, 수축 및 팽창 등에 의해 파손되는 현상이 방지되어 기계적 강도가 우수한 전고체전지에 관한 것이다.이러한 본 발명은, 파이버(fiber) 또는 튜브(tube) 형태의 강화인자와, 황화물계 고체전해질을 포함하여 형성되는 것을 특징으로

본 발명은 강화인자를 이용한 고체전해질 멤브레인의 제조방법 및 이로부터 제조된 고체전해질 멤브레인, 이를 포함하는 전고체전지에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 황화물계 고체전해질과 강화인자(reinforcement factor)를 혼합하여 시트 형태 또는 자유형상의 고체전해질 멤브레인을 제조함으로써, 충격, 수축 및 팽창 등에 의해 파손되는 현상이 방지되어 기계적 강도가 우수한 전고체전지에 관한 것이다.이러한 본 발명은, 파이버(fiber) 또는 튜브(tube) 형태의 강화인자와, 황화물계 고체전해질을 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 강화인자를 이용한 고체전해질 멤브레인의 제조방법 및 이로부터 제조된 고체전해질 멤브레인, 이를 포함하는 전고체전지를 기술적 요지로 한다.

대표청구항 ▼

파이버(fiber) 또는 튜브(tube) 형태의 강화인자를 준비하는 제1단계; 및상기 강화인자를 황화물계 고체전해질과 혼합한 후, 일정 형상으로 압착 성형하는 제2단계;를 포함하여 고체전해질 멤브레인을 제조하고, 상기 제1단계의 강화인자는, 직경이 1nm 내지 200μm 이고, 폴리이미드(polyimid, PI), 폴리아미드(polyamide, PAI) 및 폴리비닐리덴 플루오라이드(polyvinylidene fluoride, PVDF) 중 어느 하나 이상이며, 상기 제2단계에서는,상기 황화물계 고체전해질이 입자 형태인 경우 건식 혼

파이버(fiber) 또는 튜브(tube) 형태의 강화인자를 준비하는 제1단계; 및상기 강화인자를 황화물계 고체전해질과 혼합한 후, 일정 형상으로 압착 성형하는 제2단계;를 포함하여 고체전해질 멤브레인을 제조하고, 상기 제1단계의 강화인자는, 직경이 1nm 내지 200μm 이고, 폴리이미드(polyimid, PI), 폴리아미드(polyamide, PAI) 및 폴리비닐리덴 플루오라이드(polyvinylidene fluoride, PVDF) 중 어느 하나 이상이며, 상기 제2단계에서는,상기 황화물계 고체전해질이 입자 형태인 경우 건식 혼합되고,상기 황화물계 고체전해질이 액상 형태인 경우 습식 혼합되며,상기 고체전해질 멤브레인은, 상기 강화인자가 상기 멤브레인 내 불연속적 상태로 존재함으로써 기계적 강도가 개선된 자립형(free-standing) 멤브레인인 것을 특징으로 하는, 강화인자를 이용한 고체전해질 멤브레인의 제조방법.