초록 ▼

본 발명은 습식법으로 합성한 Li-M-P-S-X의 5성분계 황화물계 고체전해질 및 이를 제조하기 위한 신규한 조성물에 관한 것이다. 구체적으로 본 발명은 이하의 화학식1로 표현되는 황화물계 고체전해질에 관한 것이다.[화학식1]A(Li2S)·B(P2S5)·C(MX4)여기서, A, B 및 C는 각각 Li2S, P2S5 및 MX4의 몰 수이고, 60<A<100, 0<B<40, 0<C≤30 및 A+B+C=100을 만족하고, 상기 M은 Ge, Si, Sb, Sn, B, Al, Ga, In, Zr, V, Nb 및 이

본 발명은 습식법으로 합성한 Li-M-P-S-X의 5성분계 황화물계 고체전해질 및 이를 제조하기 위한 신규한 조성물에 관한 것이다. 구체적으로 본 발명은 이하의 화학식1로 표현되는 황화물계 고체전해질에 관한 것이다.[화학식1]A(Li2S)·B(P2S5)·C(MX4)여기서, A, B 및 C는 각각 Li2S, P2S5 및 MX4의 몰 수이고, 60<A<100, 0<B<40, 0<C≤30 및 A+B+C=100을 만족하고, 상기 M은 Ge, Si, Sb, Sn, B, Al, Ga, In, Zr, V, Nb 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나이고, 상기 X는 Cl, Br, I 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나이다.

대표청구항

이하의 화학식1로 표현되는 황화물계 고체전해질.[화학식1]A(Li2S)·B(P2S5)·C(MX4)여기서, A, B 및 C는 각각 Li2S, P2S5 및 MX4의 몰 수이고, 60<A<100, 0<B<40, 0<C≤30 및 A+B+C=100을 만족하고,상기 M은 Ge, Si, Sb, Sn, B, Al, Ga, In, Zr, V, Nb 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나이고,상기 X는 Cl, Br, I 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나이다.

이하의 화학식1로 표현되는 황화물계 고체전해질.[화학식1]A(Li2S)·B(P2S5)·C(MX4)여기서, A, B 및 C는 각각 Li2S, P2S5 및 MX4의 몰 수이고, 60<A<100, 0<B<40, 0<C≤30 및 A+B+C=100을 만족하고,상기 M은 Ge, Si, Sb, Sn, B, Al, Ga, In, Zr, V, Nb 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나이고,상기 X는 Cl, Br, I 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나이다.