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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2018-0154369 (2018-12-04) | |
공개번호 | 10-2019-0072412 (2019-06-25) | |
우선권정보 | 대한민국(KR) 1020170173245 (2017-12-15) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020180154369 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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법적상태 | 공개 |
본 발명은 실리콘 질화막 식각용 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로, 상기 실리콘 질화막 식각용 조성물은 인산, 메타인산, 암모늄염계 화합물 및 물을 포함한다.
인산, 메타인산, 암모늄염계 화합물 및 물을 포함하는, 실리콘 질화막 식각용 조성물.
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