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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2018-0162133 (2018-12-14) | |
공개번호 | 10-2020-0073688 (2020-06-24) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020180162133 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사진행상태 | 거절결정(일반) | |
법적상태 | 거절 |
유연 기판; 및 상기 유연 기판 상에 형성되며 이차원 반도체 소재로 이루어진 채널; 상기 채널상에 순차적으로 적층된 게이트 절연막과 게이트 전극; 및 상기 게이트 전극과 이격외더 상기 채널 상에 형성된 소스 및 드레인 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 차원 반도체 소재를 이용한 유연 박막 트랜지스터가 제공된다.
유연 기판; 및 상기 유연 기판 상에 형성되며 이차원 반도체 소재로 이루어진 채널; 상기 채널상에 순차적으로 적층된 게이트 절연막과 게이트 전극; 및 상기 게이트 전극과 이격외더 상기 채널 상에 형성된 소스 및 드레인 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 차원 반도체 소재를 이용한 유연 박막 트랜지스터.
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