초록 ▼

본 발명은, Ge를 포함하지 않고, 뛰어난 전기화학적 안정성과 높은 리튬이온 도전율을 겸비하는 황화물 고체전해질 재료를 제공하는 것이다. 조성식 Li4-4z-x[SnySi1-y]1+z-xPxS4로 나타나는 황화물계 고체전해질을 포함하고, 0.5≤x≤0.6, y=0.2, 0≥z≥-0.2이며, CuKα선을 이용한 X선 회절 측정에 있어서의 2θ=29.58°±0.50°의 위치에 피크를 가지고, CuKα선을 이용한 X선 회절 측정에 있어서의 2θ=27.33°±0.50°의 위치에 피크를 가지지 않거나, 상기 2θ=27.33°±0.50°의 위

본 발명은, Ge를 포함하지 않고, 뛰어난 전기화학적 안정성과 높은 리튬이온 도전율을 겸비하는 황화물 고체전해질 재료를 제공하는 것이다. 조성식 Li4-4z-x[SnySi1-y]1+z-xPxS4로 나타나는 황화물계 고체전해질을 포함하고, 0.5≤x≤0.6, y=0.2, 0≥z≥-0.2이며, CuKα선을 이용한 X선 회절 측정에 있어서의 2θ=29.58°±0.50°의 위치에 피크를 가지고, CuKα선을 이용한 X선 회절 측정에 있어서의 2θ=27.33°±0.50°의 위치에 피크를 가지지 않거나, 상기 2θ=27.33°±0.50°의 위치에 피크를 가지는 경우, 상기 2θ=29.58°±0.50°의 피크의 회절 강도를 IA로 하고, 상기 2θ=27.33°±0.50°의 피크의 회절 강도를 IB로 하였을 때, IB/IA의 값이 0.50 미만인 황화물 고체전해질이다.

대표청구항 ▼

조성식 Li4-4z-x[SnySi1-y]1+z-xPxS4로 나타나고, 여기에서 0.5≤x≤0.6, y=0.2, 0>z≥-0.2이며,CuKα선을 이용한 X선 회절 측정에 있어서의 2θ=29.58°±0.50°의 위치에 피크를 가지고, CuKα선을 이용한 X선 회절 측정에 있어서의 2θ=27.33°±0.50°의 위치에 피크를 가지지 않거나, 상기 2θ=27.33°±0.50°의 위치에 피크를 가지는 경우, 상기 2θ=29.58°±0.50°의 피크의 회절 강도를 IA로 하고, 상기 2θ=27.33°±0.50°의 피크의 회절 강도를 IB

조성식 Li4-4z-x[SnySi1-y]1+z-xPxS4로 나타나고, 여기에서 0.5≤x≤0.6, y=0.2, 0>z≥-0.2이며,CuKα선을 이용한 X선 회절 측정에 있어서의 2θ=29.58°±0.50°의 위치에 피크를 가지고, CuKα선을 이용한 X선 회절 측정에 있어서의 2θ=27.33°±0.50°의 위치에 피크를 가지지 않거나, 상기 2θ=27.33°±0.50°의 위치에 피크를 가지는 경우, 상기 2θ=29.58°±0.50°의 피크의 회절 강도를 IA로 하고, 상기 2θ=27.33°±0.50°의 피크의 회절 강도를 IB로 하였을 때, IB/IA의 값이 0.50 미만인 황화물 고체전해질.