본 발명은, 경면 광택도가 낮은 저광택 도막 또는 무광택 도막 등, 광택도가 조정된 경화 전착 도막의 형성 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.본 발명은, 경화 전착 도막의 형성 방법으로서, 상기 방법은, 음이온 전착 도료 조성물 중에 피도물을 침지해서 전착 도막을 형성하는, 전착 도장 공정, 및 상기 도장 공정에서 형성한 전착 도막을 가열해서 경화시키는, 가열 경화 공정을 포함하고, 상기 음이온 전착 도료 조성물은, 아크릴 수지(A), 경화제(B), 수분산형 광택 조정제(C) 및 경화 촉매(D)를 포함하고, 상기 수분산형 광택 조정
본 발명은, 경면 광택도가 낮은 저광택 도막 또는 무광택 도막 등, 광택도가 조정된 경화 전착 도막의 형성 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.본 발명은, 경화 전착 도막의 형성 방법으로서, 상기 방법은, 음이온 전착 도료 조성물 중에 피도물을 침지해서 전착 도막을 형성하는, 전착 도장 공정, 및 상기 도장 공정에서 형성한 전착 도막을 가열해서 경화시키는, 가열 경화 공정을 포함하고, 상기 음이온 전착 도료 조성물은, 아크릴 수지(A), 경화제(B), 수분산형 광택 조정제(C) 및 경화 촉매(D)를 포함하고, 상기 수분산형 광택 조정제(C)는, 천연 왁스 및 폴리올레핀 왁스로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 또는 그 이상의 왁스의 수분산물이고, 상기 수분산형 광택 조정제(C)를 구성하는 왁스는, 연화점(Tm)이 100℃ 이상이며, 또한 밀도가 0.91∼1.10의 범위 내이고, 상기 음이온 전착 도료 조성물 중에 포함되는 수분산형 광택 조정제(C)의 고형분 질량은, 음이온 전착 도료 조성물의 수지 고형분 100질량부에 대해서 6∼20질량부이고, 상기 전착 도장 공정에 있어서 형성된 전착 도막의 50℃에 있어서의 도막 점도가 10,000∼100,000Pa·s의 범위 내인, 방법을 제공한다.
대표청구항▼
경화 전착 도막의 형성 방법으로서, 상기 방법은, 음이온 전착 도료 조성물 중에 피도물을 침지하고, 전압을 인가해서 전착 도막을 형성하는, 전착 도장 공정, 및 상기 전착 도장 공정에서 형성한 전착 도막을 가열 경화시켜서 경화 전착 도막을 형성하는, 가열 경화 공정 을 포함하고, 상기 음이온 전착 도료 조성물은, 아크릴 수지(A), 경화제(B), 수분산형 광택 조정제(C) 및 경화 촉매(D)를 포함하고,상기 아크릴 수지(A)는, 카복실기 및 수산기를 갖는 아크릴 수지이고, 상기 경화제(B)는, 아미노 수지 및 블록 아이소사이아네이트
경화 전착 도막의 형성 방법으로서, 상기 방법은, 음이온 전착 도료 조성물 중에 피도물을 침지하고, 전압을 인가해서 전착 도막을 형성하는, 전착 도장 공정, 및 상기 전착 도장 공정에서 형성한 전착 도막을 가열 경화시켜서 경화 전착 도막을 형성하는, 가열 경화 공정 을 포함하고, 상기 음이온 전착 도료 조성물은, 아크릴 수지(A), 경화제(B), 수분산형 광택 조정제(C) 및 경화 촉매(D)를 포함하고,상기 아크릴 수지(A)는, 카복실기 및 수산기를 갖는 아크릴 수지이고, 상기 경화제(B)는, 아미노 수지 및 블록 아이소사이아네이트 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 또는 그 이상이고,상기 수분산형 광택 조정제(C)는, 천연 왁스 및 폴리올레핀 왁스로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 또는 그 이상의 왁스의 수분산물이고, 상기 수분산형 광택 조정제(C)를 구성하는 왁스는, 연화점(Tm)이 100℃ 이상이며, 또한 밀도가 0.91∼1.10의 범위 내이고, 상기 음이온 전착 도료 조성물 중에 포함되는 수분산형 광택 조정제(C)의 고형분 질량은, 음이온 전착 도료 조성물의 수지 고형분 100질량부에 대해서 6∼20질량부이고, 상기 전착 도장 공정에 있어서 형성된 전착 도막의 50℃에 있어서의 도막 점도가 10,000∼100,000Pa·s의 범위 내인, 방법.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.