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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2019-0026460 (2019-03-07) | |
등록번호 | 10-2008508-0000 (2019-08-01) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020190026460 | |
발명자 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2019-03-07) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 탄소나노튜브-고분자 복합체에 관한 것으로, 보다 상세하게는 산화 그래핀(Graphene Oxide) 및 그래핀 양자점(Graphene Quantum Dot) 중 선택되는 어느 하나의 탄소 물질과 π-π 스태킹 상호작용(π-π stacking interaction)을 통하여 결합된 탄소나노튜브 및 고분자 매트릭스를 포함하는 탄소나노튜브-고분자 복합체로써 고분자 매트릭스 내에 탄소나노튜브를 균일하게 분산시킬 뿐만 아니라 종래 탄소나노튜브-고분자 복합체 대비 전기적 및 물리적 성질을 향상시킨 탄소나노튜브-고분자 복합체 및 이의
크기가 170 nm 내지 1070 nm인 산화 그래핀(Graphene Oxide) 및 크기가 5 nm 내지 15 nm인 그래핀 양자점(Graphene Quantum Dot) 중 선택되는 어느 한 개의 탄소 물질;π-π 스태킹 상호작용(π-π stacking interaction)을 통하여 상기 선택된 어느 한 개의 탄소 물질과 결합되는 탄소나노튜브; 및고분자 매트릭스;를 포함하며,상기 선택된 어느 한 개의 탄소 물질과 탄소나노튜브의 중량비는 0.02:1로 부터 1:1까지의 중량비 중 어느 한 개인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브-고
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