초록 ▼

본 발명은 기상 성장법에 의한 질화물 GaN 웨이퍼와 같은 질화물 반도체 단결정 웨이퍼의 성장을 위한 GaN 웨이퍼 제조용 HVPE 장치 및 그에 의한 GaN 웨이퍼 제조 방법에 관한 것이다. GaN 웨이퍼 제조용 HVPE 장치는 메인 튜브(11); 메인 튜브(11)에 배치되는 GaN 질화물 반도체 단결정 성장을 위한 반응기 챔버(12); 메인 튜브(11)의 둘레 면에 설치되어 소스 영역의 반도체 원료를 가열하는 제1 가열로(14a); 및 제1 가열로(14a)에 비하여 높은 온도로 가열하도록 메인 튜브(11)의 둘레 면에 설치된 제

본 발명은 기상 성장법에 의한 질화물 GaN 웨이퍼와 같은 질화물 반도체 단결정 웨이퍼의 성장을 위한 GaN 웨이퍼 제조용 HVPE 장치 및 그에 의한 GaN 웨이퍼 제조 방법에 관한 것이다. GaN 웨이퍼 제조용 HVPE 장치는 메인 튜브(11); 메인 튜브(11)에 배치되는 GaN 질화물 반도체 단결정 성장을 위한 반응기 챔버(12); 메인 튜브(11)의 둘레 면에 설치되어 소스 영역의 반도체 원료를 가열하는 제1 가열로(14a); 및 제1 가열로(14a)에 비하여 높은 온도로 가열하도록 메인 튜브(11)의 둘레 면에 설치된 제2 가열로(14b)를 포함하고, 제2 가열로(14b)에 의하여 가열되는 성장 영역은 Si 또는 O의 발생을 제한하는 소재로 보호된다.

대표청구항 ▼

메인 튜브(11); 메인 튜브(11)에 배치되는 GaN 질화물 반도체 단결정 성장을 위한 반응기 챔버(12);메인 튜브(11)의 둘레 면에 설치되어 소스 영역의 반도체 원료를 가열하는 제1 가열로(14a); 및제1 가열로(14a)에 비하여 높은 온도로 가열하도록 메인 튜브(11)의 둘레 면에 설치된 제2 가열로(14b)를 포함하고,제2 가열로(14b)에 의하여 가열되는 성장 영역은 Si 또는 O의 발생을 제한하는 소재로 보호되고, 제한하는 소재는 PBN(pyrolytic boron nitride) 또는 PG(pyrolytic gra

메인 튜브(11); 메인 튜브(11)에 배치되는 GaN 질화물 반도체 단결정 성장을 위한 반응기 챔버(12);메인 튜브(11)의 둘레 면에 설치되어 소스 영역의 반도체 원료를 가열하는 제1 가열로(14a); 및제1 가열로(14a)에 비하여 높은 온도로 가열하도록 메인 튜브(11)의 둘레 면에 설치된 제2 가열로(14b)를 포함하고,제2 가열로(14b)에 의하여 가열되는 성장 영역은 Si 또는 O의 발생을 제한하는 소재로 보호되고, 제한하는 소재는 PBN(pyrolytic boron nitride) 또는 PG(pyrolytic graphite)이 되며,반응기 챔버(12)는 둘레 벽을 형성하는 밀폐 격막(23a), 다수의 유입 홀(24_1 내지 24_N)이 형성된 유입 격막(23b), 유입 격막(23b)의 중심 부분에 형성된 노즐 튜브(25, 251, 252), 및 웨이퍼(W)가 로딩이 되는 서셉터(21)를 둘러싸는 격막 구조로 형성되는 서셉터 보호 튜브(22)를 포함하고상기 노즐 튜브(25, 251, 252)는 GaCl의 유도를 위한 중심 노즐 튜브(25) 및 중심 노즐 튜브(25)를 둘러싸면서 중심 노즐 튜브(25)의 외부 둘레 면을 따라 N2 또는 H2를 포함하는 기체가 유입되도록 하는 둘레 노즐 튜브(251, 252)로 이루어지고,상기 밀폐 격막(23a), 상기 유입 격막(23b), 상기 노즐 튜브(25, 251, 252) 및 상기 서셉터 보호 튜브(22)는 상기 제한하는 소재로 이루어지는 것을 특징으로 하는 GaN 웨이퍼 제조용 HVPE 장치.