초록 ▼

일 실시 예에 있어서, VCSEL의 제조 방법은 먼저, 서로 대향하는 제1 표면 및 제2 표면을 구비하는 에픽텍셜 기판을 준비한다. 상기 에픽텍셜 기판의 제1 표면 상에 N형 DBR층, 활성층 및 P형 DBR층을 순차적으로 형성한다. 상기 P형 DBR층의 상부에, 소정 두께의 비도핑된 DBR층을 포함하는 제1 메사 패턴을 형성한다. 상기 P형 DBR층의 상부에서, 상기 제1 메사 패턴을 덮는 제1 패시베이션층을 형성한다. 상기 제1 메사 패턴 및 상기 제1 패시베이션층을 마스크 패턴으로 하여 상기 P형 DBR층 내에 이온을 주입함으

일 실시 예에 있어서, VCSEL의 제조 방법은 먼저, 서로 대향하는 제1 표면 및 제2 표면을 구비하는 에픽텍셜 기판을 준비한다. 상기 에픽텍셜 기판의 제1 표면 상에 N형 DBR층, 활성층 및 P형 DBR층을 순차적으로 형성한다. 상기 P형 DBR층의 상부에, 소정 두께의 비도핑된 DBR층을 포함하는 제1 메사 패턴을 형성한다. 상기 P형 DBR층의 상부에서, 상기 제1 메사 패턴을 덮는 제1 패시베이션층을 형성한다. 상기 제1 메사 패턴 및 상기 제1 패시베이션층을 마스크 패턴으로 하여 상기 P형 DBR층 내에 이온을 주입함으로써, 상기 P형 DBR층의 일부분을 광개구부를 제어하는 절연 패턴층으로 변환시킨다. 상기 제1 패시베이션층을 선택적으로 제거한 후에, 상기 P형 DBR층과 전기적으로 연결되는 제1 전극 컨택층을 형성하는 단계를 형성한다. 상기 에픽텍셜 기판의 상기 제2 표면과 전기적으로 연결되는 제2 전극 컨택층을 형성한다.

대표청구항 ▼

(a) 서로 대향하는 제1 표면 및 제2 표면을 구비하는 에픽텍셜 기판을 준비하는 단계;(b) 상기 에픽텍셜 기판의 제1 표면 상에 N형 DBR층, 활성층 및 P형 DBR층을 순차적으로 형성하는 단계;(c) 상기 P형 DBR층의 상부에, 소정 두께의 비도핑된 DBR층을 포함하는 제1 메사 패턴을 형성하는 단계;(d) 상기 P형 DBR층의 상부에서, 상기 제1 메사 패턴을 덮는 제1 패시베이션층을 형성하는 단계;(e) 상기 제1 메사 패턴 및 상기 제1 패시베이션층을 마스크 패턴으로 하여 상기 P형 DBR층 내에 이온을 주입함으로써,

(a) 서로 대향하는 제1 표면 및 제2 표면을 구비하는 에픽텍셜 기판을 준비하는 단계;(b) 상기 에픽텍셜 기판의 제1 표면 상에 N형 DBR층, 활성층 및 P형 DBR층을 순차적으로 형성하는 단계;(c) 상기 P형 DBR층의 상부에, 소정 두께의 비도핑된 DBR층을 포함하는 제1 메사 패턴을 형성하는 단계;(d) 상기 P형 DBR층의 상부에서, 상기 제1 메사 패턴을 덮는 제1 패시베이션층을 형성하는 단계;(e) 상기 제1 메사 패턴 및 상기 제1 패시베이션층을 마스크 패턴으로 하여 상기 P형 DBR층 내에 이온을 주입함으로써, 상기 P형 DBR층의 일부분을 광개구부를 제어하는 절연 패턴층으로 변환시키는 단계; (f) 상기 제1 패시베이션층을 선택적으로 제거한 후에, 상기 P형 DBR층과 전기적으로 연결되는 제1 전극 컨택층을 형성하는 단계를 형성하는 단계; 및(g) 상기 에픽텍셜 기판의 상기 제2 표면과 전기적으로 연결되는 제2 전극 컨택층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 (c) 단계는(c1) 상기 P형 DBR층 상에 전도성 식각 방지막을 형성하는 단계;(c2) 상기 전도성 식각 방지막 상에 상기 소정 두께의 비도핑된 DBR층을 형성하는 단계; 및(c3) 상기 전도성 식각 방지막 상에서 상기 비도핑된 DBR층을 선택적으로 식각하는 단계를 포함하는수직 캐비티 표면 방출 레이저의 제조 방법.