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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2019-0109685 (2019-09-04) | |
등록번호 | 10-2199338-0000 (2020-12-30) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020190109685 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2019-09-04) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 실시예들은 다결정 실리콘 트랜지스터와 산화물 트랜지스터를 병렬 연결하고, 다결정 실리콘 트랜지스터와 산화물 트랜지스터에 동형 외인성 반도체를 적용하여, 히스테리시스 특성을 보상하는 디스플레이의 구동 트랜지스터를 제공한다.
발광 소자를 구동시키는 구동 트랜지스터에 있어서,상기 구동 트랜지스터는 병렬 연결된 다결정 실리콘 트랜지스터와 산화물 트랜지스터를 포함하며,상기 다결정 실리콘 트랜지스터와 상기 산화물 트랜지스터는 동형 외인성 반도체를 사용하여 히스테리시스에 의한 명암 변화를 감소시키며,상기 다결정 실리콘 트랜지스터 및 상기 산화물 트랜지스터는 동시에 턴온 또는 턴오프 동작하고,상기 다결정 실리콘 트랜지스터는 히스테리시스로 인한 전류 감소에 따라 저항이 M배 증가하고, 상기 산화물 트랜지스터는 상기 히스테리시스로 인한 전류 감소에 따라 저항이 N배
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