초록

본 실시예들은 다결정 실리콘 트랜지스터와 산화물 트랜지스터를 병렬 연결하고, 다결정 실리콘 트랜지스터와 산화물 트랜지스터에 동형 외인성 반도체를 적용하여, 히스테리시스 특성을 보상하는 디스플레이의 구동 트랜지스터를 제공한다.

대표청구항 ▼

발광 소자를 구동시키는 구동 트랜지스터에 있어서,상기 구동 트랜지스터는 병렬 연결된 다결정 실리콘 트랜지스터와 산화물 트랜지스터를 포함하며,상기 다결정 실리콘 트랜지스터와 상기 산화물 트랜지스터는 동형 외인성 반도체를 사용하여 히스테리시스에 의한 명암 변화를 감소시키며,상기 다결정 실리콘 트랜지스터 및 상기 산화물 트랜지스터는 동시에 턴온 또는 턴오프 동작하고,상기 다결정 실리콘 트랜지스터는 히스테리시스로 인한 전류 감소에 따라 저항이 M배 증가하고, 상기 산화물 트랜지스터는 상기 히스테리시스로 인한 전류 감소에 따라 저항이 N배

발광 소자를 구동시키는 구동 트랜지스터에 있어서,상기 구동 트랜지스터는 병렬 연결된 다결정 실리콘 트랜지스터와 산화물 트랜지스터를 포함하며,상기 다결정 실리콘 트랜지스터와 상기 산화물 트랜지스터는 동형 외인성 반도체를 사용하여 히스테리시스에 의한 명암 변화를 감소시키며,상기 다결정 실리콘 트랜지스터 및 상기 산화물 트랜지스터는 동시에 턴온 또는 턴오프 동작하고,상기 다결정 실리콘 트랜지스터는 히스테리시스로 인한 전류 감소에 따라 저항이 M배 증가하고, 상기 산화물 트랜지스터는 상기 히스테리시스로 인한 전류 감소에 따라 저항이 N배 증가하고, 상기 N이 1보다 큰 양수이고 상기 M이 상기 N보다 큰 양수이고 L이 M/N이라고 정의할 때, 상기 구동 트랜지스터는 2M/(L+1)로 상기 히스테리시스로 인한 저항 증가를 보상하고,상기 L이 1보다 커서 상기 히스테리시스에 따른 플리커링 현상을 억제하고, 상기 구동 트랜지스터의 균일도를 보상하는 것을 특징으로 하는 구동 트랜지스터.