초록

자기 터널링 접합(MTJ) 구조물을 패터닝하기 위한 제안된 방법은, 웨이퍼(10) 상의 바닥 전극(12) 위에 형성된 MTJ층 스택(16) 상에, 패터닝된 마스크(18)를 제공하는 단계, 및 물리적 처리에 의해, 바람직하게 측벽 손상부를 물리적으로 공격하고 제거하는 CMP 또는 울트라소닉 세정 툴에서 슬러리(27, 47)를 사용함으로써 MTJ 디바이스 상의 측벽 손상부(22)를 제거하는 단계를 포함한다.

대표청구항 ▼

자기 터널링 접합(magnetic tunneling junction; MTJ) 구조물을 에칭하기 위한 방법에 있어서, 웨이퍼 상의 바닥 전극 상에 MTJ 스택을 제공하는 단계; MTJ 디바이스를 형성하기 위해 상기 MTJ 스택을 패터닝하는 단계로서, 상기 MTJ 디바이스의 측벽들에 측벽 손상부(sidewall damage)가 형성되는 것인, 상기 MTJ 스택을 패터닝하는 단계; 및 그 후 상기 MTJ 디바이스의 상기 측벽들에 물리적 처리를 적용함으로써 상기 측벽 손상부를 제거하는 단계를 포함하고, 상기 물리적 처리는 압력 없이 그리

자기 터널링 접합(magnetic tunneling junction; MTJ) 구조물을 에칭하기 위한 방법에 있어서, 웨이퍼 상의 바닥 전극 상에 MTJ 스택을 제공하는 단계; MTJ 디바이스를 형성하기 위해 상기 MTJ 스택을 패터닝하는 단계로서, 상기 MTJ 디바이스의 측벽들에 측벽 손상부(sidewall damage)가 형성되는 것인, 상기 MTJ 스택을 패터닝하는 단계; 및 그 후 상기 MTJ 디바이스의 상기 측벽들에 물리적 처리를 적용함으로써 상기 측벽 손상부를 제거하는 단계를 포함하고, 상기 물리적 처리는 압력 없이 그리고 진공 없이 상기 웨이퍼를 화학 기계적 폴리싱(chemical mechanical polishing; CMP) 툴에 홀딩하는 것을 포함하는 것인, 자기 터널링 접합(MTJ) 구조물을 에칭하기 위한 방법.