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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2019-7032931 (2019-11-06) | |
공개번호 | 10-2019-0139934 (2019-12-18) | |
등록번호 | 10-2581544-0000 (2023-09-19) | |
우선권정보 | 일본(JP) JP-P-2017-083941 (2017-04-20) | |
국제출원번호 | PCT/JP2018/015462 (2018-04-13) | |
국제공개번호 | WO 2018/193973 (2018-10-25) | |
번역문제출일자 | 2019-11-06 | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020197032931 | |
발명자 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2021-03-26) | |
심사진행상태 | 등록결정(재심사후) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명의 실리콘계 점착제의 제조 방법은 박리성 기재의 한쪽 면에 실리콘 조성물(I)을 도공하고, 당해 조성물의 경화 또는 건조에 의해 실리콘층(I)을 형성하는 공정(1); 상기 실리콘층(I)의 표면에 실리콘 조성물(II)를 도공하고, 당해 조성물의 경화에 의해 실리콘계 점착제를 형성하는 공정(2)로 적어도 이루어지고, 상기 조성물(I)은 실리콘 레진을 함유하며, 상기 조성물(II)는 상기 실리콘 레진을 함유하지 않거나, 또는 함유해도 상기 조성물(I)의 함유량보다 적은 것을 특징으로 한다. 본 발명의 방법에 의하면, 모듈러스가 낮
다음 공정(1) 및 (2):공정(1): 박리성 기재의 한쪽 면에 실리콘 조성물(I)을 도공한 후, 상기 실리콘 조성물(I)의 경화 또는 건조에 의해 실리콘층(I)을 형성;공정(2): 상기 실리콘층(I)의 표면에 실리콘 조성물(II)를 도공한 후, 상기 실리콘 조성물(II)의 경화에 의해 실리콘계 점착제를 형성을 포함하는 실리콘계 점착제의 제조 방법으로서,상기 실리콘 조성물(I)은 식: R3SiO1/2(식 중, R은 동일하거나 또는 상이한 탄소수 1 내지 12의 1가 탄화수소기이다)로 나타내는 실록산 단위와 식: SiO4/2로 나타내
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