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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2020-0014426 (2020-02-06) | |
공개번호 | 10-2021-0100442 (2021-08-17) | |
등록번호 | 10-2316421-0000 (2021-10-18) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020200014426 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2020-02-06) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명의 일 실시예에 따른 탄성파 시준 장치는, 적어도 하나의 단위 격자가 주기적으로 형성되는 물체와, 저주파 대역에서 유효 재료 물성 조건을 만족시키는 상기 단위 격자에 탄성파가 입사되어 획득된 제 1 동주파수 곡선 및 고주파 대역에서 상기 유효 재료 물성 조건을 만족시키는 상기 단위 격자에 탄성파가 입사되어 획득된 제 2 동주파수 곡선을 포함하고, 상기 유효 재료 물성 조건은 상기 물체의 탄성방정식 해석에 따라 획득되고, 상기 물체 내로 입사된 탄성파는 일정 방향으로 시준되는 것을 특징으로 한다.
복수의 단위 격자가 주기적으로 형성되는 물체를 포함하고,상기 단위 격자는 소정의 크기를 가지는 홀을 포함하며,저주파 대역에서 상기 물체의 탄성방정식 해석에 따라 획득되는 유효 재료 물성 조건을 만족시키는 상기 단위 격자에 탄성파가 입사되어 제 1 동주파수 곡선이 획득되고, 고주파 대역에서 상기 유효 재료 물성 조건을 만족시키는 상기 단위 격자에 탄성파가 입사되어 제 2 동주파수 곡선이 획득되는 것을 특징으로 하는 탄성파 시준 장치.
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