초록

본 발명은 식각 조성물 및 이를 이용하는 금속막의 식각방법에 관한 것으로, 상세하게는 단일금속막 또는 다중금속막의 식각 특성을 향상시키는 식각 조성물, 이를 이용하는 금속막의 식각방법 및 본 발명의 식각 조성물을 이용하여 수행되는 공정을 포함하는 반도체 소자의 제조방법을 제공한다.

대표청구항

과산화수소; 황산과 인산염의 혼합물인 식각 첨가제; pH조절제; 불소 화합물; 아데닌 또는 구아닌인 언더컷 억제제; 헥실아민; 및 물을 포함하는 식각 조성물로서,상기 조성물은 조성물 총 중량에 대해 과산화수소 10 내지 30중량%, 식각 첨가제 0.01 내지 5중량%, pH조절제 0.1 내지 3중량%, 불소 화합물 0.01 내지 1중량%, 언더컷 억제제 0.01 내지 2중량%, 헥실아민 0.1 내지 5중량% 및 잔량의 물을 포함하고,상기 언더컷 억제제와 헥실아민은 중량비가 1: 5 내지 10인 식각 조성물.

과산화수소; 황산과 인산염의 혼합물인 식각 첨가제; pH조절제; 불소 화합물; 아데닌 또는 구아닌인 언더컷 억제제; 헥실아민; 및 물을 포함하는 식각 조성물로서,상기 조성물은 조성물 총 중량에 대해 과산화수소 10 내지 30중량%, 식각 첨가제 0.01 내지 5중량%, pH조절제 0.1 내지 3중량%, 불소 화합물 0.01 내지 1중량%, 언더컷 억제제 0.01 내지 2중량%, 헥실아민 0.1 내지 5중량% 및 잔량의 물을 포함하고,상기 언더컷 억제제와 헥실아민은 중량비가 1: 5 내지 10인 식각 조성물.