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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2020-0032680 (2020-03-17) | |
공개번호 | 10-2021-0116043 (2021-09-27) | |
등록번호 | 10-2310206-0000 (2021-09-30) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020200032680 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2020-03-17) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 아연 요오드 흐름전지에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 이온교환막의 양측에 전기적으로 연결된 전기전도층이 형성되어, 아연 전착 반응에 의해 아연 금속이 덴드라이트 형태로 자라나 전기전도층과 접촉될 경우, 아연 금속이 아연 이온으로 용해됨으로써, 이혼교환막이 훼손되어 내부 단락이 발생되는 것을 방지할 수 있는 내부 단락 방지형 아연 요오드 흐름전지에 관한 것이다.
제1 전극 및 아연 이온을 제1 전해액으로 구비하는 제1 하프셀;제2 전극 및 요오드 이온을 제2 전해액으로 구비하는 제2 하프셀; 및상기 제1 하프셀 및 상기 제2 하프셀 사이에 위치하여, 상기 제1 하프셀과 상기 제2 하프셀을 분리하는 이온교환막;을 포함하고,상기 이온교환막의 표면에는 이온이 투과될 수 있는 전기전도층이 형성되고, 상기 전기전도층은 상기 제1 전극과 인접한 일측에 형성된 제1 전기전도층과 상기 제2 전극과 인접한 타측에 형성된 제2 전기전도층을 포함하며, 상기 제1 전기전도층과 상기 제2 전기전도층은 전기적으로
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