초록 ▼

본 발명은 탄화우라늄(UCx) 스크랩 처리 방법에 있어서, 산화우라늄으로부터 탄화우라늄(UCx-C)을 제조하는 공정에서 발생된 탄화우라늄 스크랩을 전용 도가니에 담아 열처리로에 투입하는 (a)단계 ; 상기 열처리로의 열처리 조건으로 시간에 따라 온도를 상승시키는 승온처리를 수행하여 상기 탄화우라늄 스크랩의 탄소를 승화시키는 열처리 (b)단계; 및 상기 (b)단계의 수행으로, 상기 탄화우라늄 스크랩에서 탄소가 제거되어 생성된 산화우라늄을 회수하는 (c)단계를 포함하여, 회수된 상기 산화우라늄의 재사용이 가능하도록 상기 탄화우라늄 스크

본 발명은 탄화우라늄(UCx) 스크랩 처리 방법에 있어서, 산화우라늄으로부터 탄화우라늄(UCx-C)을 제조하는 공정에서 발생된 탄화우라늄 스크랩을 전용 도가니에 담아 열처리로에 투입하는 (a)단계 ; 상기 열처리로의 열처리 조건으로 시간에 따라 온도를 상승시키는 승온처리를 수행하여 상기 탄화우라늄 스크랩의 탄소를 승화시키는 열처리 (b)단계; 및 상기 (b)단계의 수행으로, 상기 탄화우라늄 스크랩에서 탄소가 제거되어 생성된 산화우라늄을 회수하는 (c)단계를 포함하여, 회수된 상기 산화우라늄의 재사용이 가능하도록 상기 탄화우라늄 스크랩을 처리하는 것을 특징으로 한다.

대표청구항 ▼

산화우라늄(U3O8)의 재사용이 가능하도록 탄화우라늄 디스크를 제조하는 과정에서 발생한 탄화우라늄(UCx) 스크랩 처리 방법으로서,(a) 분쇄된 산화우라늄에 MWCNT(Multi-Wall Carbon Nano Tube)를 사용하여 탄화우라늄(UCx-C)을 제조하는 공정에서 발생된 MWCNT를 포함하는 탄화우라늄 스크랩을 열처리로에 투입하는 단계;(b) 상기 열처리로의 열처리 조건으로 시간에 따라 서서히 온도를 상승시켜 열에너지가 스크랩에 전달될 수 있도록 승온처리를 수행하며, 승온 온도 범위를 400°C ~ 1,200°C로 한 상기

산화우라늄(U3O8)의 재사용이 가능하도록 탄화우라늄 디스크를 제조하는 과정에서 발생한 탄화우라늄(UCx) 스크랩 처리 방법으로서,(a) 분쇄된 산화우라늄에 MWCNT(Multi-Wall Carbon Nano Tube)를 사용하여 탄화우라늄(UCx-C)을 제조하는 공정에서 발생된 MWCNT를 포함하는 탄화우라늄 스크랩을 열처리로에 투입하는 단계;(b) 상기 열처리로의 열처리 조건으로 시간에 따라 서서히 온도를 상승시켜 열에너지가 스크랩에 전달될 수 있도록 승온처리를 수행하며, 승온 온도 범위를 400°C ~ 1,200°C로 한 상기 탄화우라늄 스크랩의 탄소를 승화시키는 열처리 단계; 및 (c) 상기 (b)단계의 수행으로, 상기 탄화우라늄 스크랩의 탄소가 제거되어 생성된 산화우라늄을 회수하는 단계를 포함하여,회수된 상기 산화우라늄의 재사용이 가능하도록 상기 탄화우라늄 스크랩을 처리하는 것을 특징으로 하는 탄화우라늄(UCx) 스크랩 처리 방법.