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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2020-0065316 (2020-05-29) | |
공개번호 | 10-2021-0147697 (2021-12-07) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020200065316 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2020-05-29) | |
심사진행상태 | 취하(등록결정전 취하서제출) | |
법적상태 | 취하 |
본 발명은, 소듐 누설 감지 센서 및 이의 제조 방법에 있어서, 전기 절연성 소재로 형성되는 기판, 상기 기판의 일측에 배치되는 전도층 및 상기 전도층의 양단과 결합되는 저항 측정 유닛을 포함하고, 상기 전도층은, 패터닝(patterning)된 미세 전극을 구비하고, 상기 미세 전극은, 금속의 산화물로 형성되는, 소듐 누설 감지 센서 및 이의 제조 방법을 개시한다.
전기 절연성 소재로 형성되는 기판;상기 기판의 일측에 배치되는 전도층; 및상기 전도층의 양단과 결합되는 저항 측정 유닛을 포함하고,상기 전도층은,패터닝(patterning)된 미세 전극을 구비하고,상기 미세 전극은,금속의 산화물로 형성되는,소듐 누설 감지 센서.
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